微电子04pn结2.pptxVIP

在反向偏压下，外加的电压增加了跨过耗尽区的静电电势，如中间图所示．如此将大大地减少扩散电流，导致一小的反向电流． 电流－电压特性 假设满足：①耗尽区为突变边界，且假设在边界之外，半导体为电中性．②在边界的裁流子浓度和跨过结的静电电势有关．③小注入情况，亦即注入的少数载流子浓度远小于多数载流子浓度，即在中性区的边界上，多数载流子的浓度因加上偏压而改变的量可忽略．④在耗尽区内并无产生和复合电流，且电子和空穴在耗尽区内为常数． 理想电流-电压特性 ： 在热平衡时，中性区的多数载流子浓度大致与杂质浓度相等，下标0表示热平衡．因此，nn0和np0分别表示为在n和p侧的平衡电子浓度．故 所以 同理 电流－电压特性 可见，在耗尽区边界上，电子和空穴浓度与热平衡时的静电电势差Vbi有关.由假设②，可以预期在外加电压改变静电电势差时，仍然保持相同的关系式．当加上一正向偏压，静电电势差减为Vbi-VF；而当加上一反向偏压，静电电势差增为Vbi+VR。因此，上式可修正为 其中nn和np分别是在n侧和p侧耗尽区边界的非稳态电子和空穴的浓度．正向偏压时，V为正值，反向偏压时，V为负值． 电流－电压特性 在小注入情况下，注入的少数载流子浓度远比多数载流子要少， 因此，nnnn0．将此条件以及式 得到在p端耗尽区边界(x=-xp)的电子浓度 代入 可见，在正向偏压下，