WT站培训课件2017年33.pptxVIP

WET站培训太阳能电池制程原理准备站装片手法一面盖PP板一面盖manz盒内的亚克力板，转动查看四边有无边亮缺及脏污最后查看线痕方向，放入manz盒内 IPA站制程介绍制绒目的：形成金字塔绒面，减少光反射，提高内部光吸收。增加光吸收原理：当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或多次吸收，从而增加吸收率。制绒前金字塔结构制绒后制绒原理：低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶面上具有不同腐蚀速率（各向异性），将硅片表面腐蚀形成金字塔密布的表面形貌 。相关反应如右示：Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2所谓各向异性即为化学反应的各向速率不同。碱溶液在单晶硅的{100}和{111}晶面存在着差异IPA站制程流程机台操作界面IPA站制程流程槽体制程设置原则药液过后必有水洗具体制程工艺Clean纯水清洗Alk Texturing蚀刻制绒Load上货端Pre Clean预清洗Clean纯水清洗Clean纯水清洗Post Clean后清洗Clean HF/HCl酸洗WAD热空气吹干Clean纯水清洗HWD热水清洗UnLoad下货端IPA站制程流程各槽体主要功能预清洗槽(Pre Clean)：内装化学药品为双氧水(H2O2)、KOH和DIW，本槽主要用来去除wafer表面的脏污及锯痕等制绒槽(Alk Texturing)：内装化学药品为KOH、添加剂和DIW，本槽主要用来刻蚀wafer表面，制绒(Texture)形成金字塔表面形貌酸洗槽(Clean HF/HCl)：内装化学药品为HF、HCl和DIW，本槽主要用来去除表面金属离子和硅片表面的氧化层使硅片表面斥水水洗槽(Rinse)：内装DIW（纯水），本槽主要用来洗净硅片表面的酸和碱后清洗槽：内装化学药品为双氧水(H2O2)、KOH和DIW，本槽主要再次清洗制绒后wafer表面热水槽(Hot Water Dryer)：内装62-78?C纯水，通过提升臂控制Carrier缓慢上升和下降，主要利用热水的表面张力及硅片的斥水性将wafer表面的水滴排掉干燥槽(Warm Air Dryer)：鼓风机产生的气体被加热器加热，变为热风将硅片表面的水分吹干Sawing槽：粗清洗，去除wafer表面损伤层IPA机台基本操作配方的加载开机后双击warmstart图标，点击Database，点击Tool recipe data，选择配方（CL2.4A）并加载IPA机台基本操作配方的加载开机后双击warmstart图标，点击Database，点击Tool recipe data，选择配方（CL2.4A）并加载IPA机台基本操作药液的添加在机台主画面下选择各蚀刻槽，点击Fill 添加相应药液,液位感应器第三个绿灯亮即为加满，机台将自动停止对该槽加液IPA常用菜单功能Fill：排空相应槽体中的药液而后按照配方向槽体中添加药液Drain：放空槽体中的药液Clean：排空相应槽体中的药液而后向槽体中加注去离子水Reset：结束正在运行的指令(如：Fill等)Station lock：针对不同的添加剂或者Wafer等等锁定相应的槽体，执行相应的制程IPA机台基本操作添加剂的检查与补加每班上班前检查添加剂液位状况，满产时需保证添加剂液位在满至2/3状态（IPA01）2，补加添加剂1，检查添加剂液面针对IPA04/02的添加剂液位不能低于白色储罐的1/4,IPA机台基本操作机台上货 待初始配液完成，将Carrier放到上料区，Carrier放入量测片一片，并将量测片数据记录于系统中。量测片位置规定：在Carrier前进的方向上，第一个Carrier从中间往右侧数第3片为量测片。量测频率规定：蚀刻深度每3RUN量测1片（且用白色压杆标示，非量测片的压杆用用黑色） 反射率为2000pcs量测一次每个LOT6000pcs，应有3次的反射率量测记录，5次的蚀刻深度记录。IPA SPC 蚀刻深度：OOC4.5±1 OOS4.5±1.5 反射率： OOC≤13.2 OOS≤13.5若超出OOC范围，需要立即通知制程工程师调整。若超出OOS范围，需要停止上货段，通知制程工程师调整。机台报警培训IPA手臂宕机处理方式异常wafer报废标准：蚀刻后质量＜9.0g手臂宕机各槽及处理时间限定：制造在发现手臂宕机后，工程师未及时处理，按照以下时间排液排液阀手臂宕机处理人员：设备及制程工程师手臂宕机机况分类及处理方式：1.手臂可活动（可操控手臂）→操作手臂将SDR及蚀刻槽中的wafer取出放入rinse中2.手臂死机→直接排液作业手法及注意事项先带PVC手套/NBR，再带PE薄膜手套手套的佩戴 IPA 机台Chroma上料规定确认发料Manz盒中Wafer线痕方向，需与Manz盒上箭头方向一致作业手法及注意事项IPA量测手