硅片的表面清光伏材料毕业论文.docVIP

课程设计论文（设计） 题 目: 硅片的表面清洗 姓 名: 学 院: 光伏工程学院 专 业: 光伏材料加工与应用技术 班 级: 08级光伏（2）班 学 号: 2085110206 指导教师: 目 录 摘要 1 1 引言 2 2 化学清洗方法 2 3 实验过程和表征方法 3 4 结果与讨论 4 4．1 化学清洗和除气对Si衬底的表面形貌和杂质的影响 4 4．2 1000℃退火后Si表面的XPS研究 8 5 结论 10 6 致谢 12 7 参考文献 13 硅片的表面清洗 摘要:本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法，它主要包括H2SO4：H202溶液清洗和HF：c2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RI-IEED)等技术进行表征。结果表明，运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染，我们提出用无水乙醇(C2H5OH)来保护H-Si表面。300 oC除气前后XPS的对比结果表明，清洗后的Si表面不存在B，但吸附少量F，以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据Si 2p芯能级的同步辐射光电子能谱(SRPES)，可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层，经1000 oC退火25 min后，XPS和SRPES的结果表明Si表面已经非常清洁，并且出现了两个Si的表面态。 关键词:硅表面 化学清洗 光电子能谱 同步辐射  1 引言 清洁的Si表面对于制备Si基半导体器件和薄膜的外延生长都非常重要。湿法化学清洗是一种重要的清洗方法，相对于Ar+溅射，以及高温退火(1200 oC)等方法，它具有效率高和对表面损伤小的优点。目前广泛采用的硅表面化学清洗方法是Shiraki方法和RCA方法。然而，这两种方法中溶液的配制和整个清洗过程比较复杂，而且使用一些挥发性很强的试剂，易对操作者造成伤害，比如RCA方法中使用的NH4OH：H202：H2O(1：1：5，≥75oC)和HC1：H202：H2O(1：1：5，≥75 oC)溶液，以及Shiraki方法中的浓硝酸HNO3(130 oC)，NH4OH：H202：H2O(1：1：3，90 oC)和HC1：H202：H2O(3：1：1，90 oC)等溶液都具有很强的挥发性。 本文报道了一种温和简洁的化学清洗方法，其突出优点是氧化清洗硅表面只使用挥发性较小的H2S04：H202 溶液一步完成。若清洗后Si衬底不能迅速传人超高真空系统，我们提出采用C2H5OH溶液来暂时保护Si表面，以延缓被空气氧化的速率和避免空气中杂质污染。样品被传人真空系统之后，运用XPS对各个阶段的表面进行分析，同时应用SRPES研究Si 2p的芯能级。 2 化学清洗方法 实验中所使用的衬底为p-Si，其电阻率为5 Q·cm～10 Q·cm。Si衬底按表1所示流程进行清洗。第一步用各种有机溶剂洗去Si表面的有机污染物。第二步用具有非常高氧化性的H2SO4：H2O2溶液除去硅表面的金属和有机污染物，并在表面形成一层优质的氧化膜。Miki[5j等发现对于氧化清洗Si表面，只用H2so4：I-I2O2溶液可以达到和Shiraki方法相同的效果。并且，浓H2SO4不像浓NH3OH，HCl以及HNO3等在加热时产生大量的酸雾，使得清洗过程更温和、更安全。第三步用HF除去表面的氧化层，并形成一个H钝化的表面。这是因为低浓度的HF酸可以刻蚀掉SiO2薄膜，却不与Si衬底发生反应. 注：表中所有配比均为体积比。所用有机试剂均是分析级试剂。部分试剂的浓度如下：w(H202)t20％；w(Hr)≥40％；w(H2S04)：95～98％ ． 表1 化学清洗流程 Tab．1 The chemical cleaning process H钝化的硅表面在空气中只能维持几分钟内不被重新氧化。若清洗后的Si片不能及时进入超高真空系统，我们提出将清洗后的Si片放人无水C2H5OH中，这既可以延缓表面被氧化的速度，又可以避免清洗后的表面被空气中的杂质所污染。Gnmdner等发现对于H钝化的Si表面，CH3OH与H2O相比氧化速率低很多，但是与C2H5OH相比，CH3OH挥发性强且有剧毒。所以我们选择了与CH3OH化学性质相似的C2H5OH保护Si表面。 3 实验过程和表征