模拟电子技术基础简明教程-(第三版)第一章课件.pptVIP

作业 1-7、1-8 作业 1-13、1-14 一. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例） 2. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 设uDS=0V, uGS＞0V时→栅底平行板电容器产生纵向电场 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响(设UGS(th)=2V, uGS=4V） ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 作业 1-16，1-17 二、输出特性曲线 iC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区IC=βIB 截止区 IB≈0,IC≈0 饱和区 iC不随iB变，随uCE急变，ICβIB iC=ICEO穿透电流 Rb Rc VBB VCC e c b IE IC IB 输出特性三个区域的特点: (1) 截止区:发射结反偏,集电结反偏 UBE 0 , UBC 0 ,IB=0 , IC=ICEO ?0 (2) 放大区:发射结正偏,集电结反偏 UBE0 , UBC0 IE=IC+IB,, IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB (3) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏UBE0 , UBC0 IC?IB,UCE?0.3V（饱和电压) 临界饱和时, UBE=UCE UBC=0 N P N Rb Rc e c b IE IC IB UB UE UC VBB VCC UBE0,UBC0 发射结反偏； 集电结反偏； 工作在截止区 UBE0,UBC0 发射结反偏； 集电结反偏； 工作在截止区 UBE0,UBC0 发射结正偏； 集电结正偏； 工作在饱和区 [例1.3.1] 判断图示各电路中三极管的工作状态。 0.7V VT 0.3V Rb Rc VCC VBB VT Rb Rc VCC VT 例1： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。 解：①当VBB = -2V时： UBE0V，晶体管截止 IB=0 ， IC=0 IC UCE IB VCC Rb VBB C B E RC UBE IE ②当VBB =2V时： UBE0，晶体管导通 IC最大饱和电流： IC ICmax 工作在放大区。 例1： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。 IC UCE IB VCC Rb VBB C B E RC UBE IE ③当VBB =5V时： UBE，晶体管导通 IC最大饱和电流： IC ICmax 工作在饱和区。 或者：假设工作在放大区 假设错误，工作在饱和区。 四、 三极管的主要参数 2. 反向饱和电流 β = ΔiC Δ iB β ≈ IC IB 共基直流电流放大系数 α α = ΔiC ΔiE 共基电流放大系数α α = IC IE β 共射直流电流放大系数 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 集电极和发射极之间的穿透电流 ICEO ICEO =（1+ ）ICBO β 两者满足 1. 电流放大系数 共射电流放大系数β 3. 极限参数 a. 集电极最大允许电流 ICM iC/mA O uCE/V 三极管的安全工作区 过流区 集射反向击穿电压U(BR)CEO 集基反向击穿电压U(BR)CBO iCuCE=PCM 过压区 安 全 工作区 ICM 过 损 耗 区 U(BR)CEO c. 极间反向击穿电压 b. 集电极最大允许耗散功率 PCM 五、 PNP型三极管 PNP型三极管的放大原理与NPN型基本相同，外部电流关系相同，但外加电源的极性相反、电流方向相反。 VBB ui Rb Rc VT + - uO VCC VBB ui Rb Rc VT + - uO VCC IB IC IE IB IC IE IE = IC + IB IC ≈ βIB IE =（ 1+ β ）IB 第四节 场效应三极管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 场效应三极管中参