电子束光刻加工圆形阵列图形的新方法.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 电子束光刻加工圆形阵列图形的新方法 第十六曩全国１℃合袖半导俸．微波■ｌ件和光电曩ｌ件掌术套议西安’１０ 投稿分类号：ＥＩＯ 时文华４ （中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加丁平台苏州） 摘要利用商斯型束斑／矢母十ｌ描式电了束曝光机的上作模式特点。通过设计特定的矩形线条，设置特定的扫描步长以及曝光剂量，得到了多种不问Ｉ｛径（２０，－６０ｎｍ），小ｌ司间距（５０～ｌＯＯｎｍ）的圆７Ｌ状纳米阵列，图形‘ｊ图形之问最小间隙小至ｌＯｎｍ。该工艺方法最人的优势存于，与传统商接加上的圆形阵列相Ｌ匕。整个流程巾不需要使用圆弧状图形数据．使其在数据处理方画诧费的时问会大大缩短。 关键词：电子束光刻圆７Ｌ阵列圆柱阵列 ＡＮｅｗＭｅｔｈｏｄｔｏＦａｂｒｉｃａｔｅＣｉｒｃｌｅＡｒｒａｙｓＵｓｉｎｇＥ．ｂｅａｍ ＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＳｙｓｔｅｍ Ｓｉｎｗｅｎｈｕａ （Ｎａｎｏ－ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＦａｃｉｌｉｔｙ，ＳｕｚｈｏｕＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆ ＡｂｓｔｒａｃｔＨｏｌｅａｒｒａｙｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｕｓｉｎｇｖｅｃｔｏｒｓｃａｎＧａｕｓｓ－ｓｈａｐｅｄｂｅａｍＮａｎｏ－ｔｅｃｈａｎｄＮａｎｏ－ｂｉｏｎｉｃ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ）ｄｉａｍｅｔｅｒｓ（２０－６０ｎｍ）ａｎｄｐｅｒｉｏｄｓ（５０，１００ｎｍ）ｗｅｒｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄＥｌｅｃｔｒｏｎ－ｂｅａｍＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＳｙｓｔｅｍ．Ｗｅ ｄｅｓｉｇｎｅｄｐａｔｔｅｒｎｏｆｓｐｅｃｉａｌｒｅｃｔａｎｇｌｅａｒｒａｙｓ，ａｎｄｓｅｔｓｐｅｃｉａｌＳＣａｎｓｔｅｐｓａｎｄ ｗｈｏｌｅｐｒｏｃｅｓｓ，ａｒｃ－ｓｈａｐｅｄｐａｔｔｅｒｎｗｅｒｅａｖｏｉｄｅｄ．Ｓｏｍｕｃｈｔｉｍｅｃｏｕｌｄｂｅｓａｖｅｄｗｈｉｌｅｔｈｅｄｅｓｉｇｎｅｄｐａｔｔｅｒｎｗａｓｃｏｎｖｅｒｔｅｄｔｏｍａｃｈｉｎｅｆｏｒｍａｔｐａｔｔｅｒｎ．ｏｎｌｙｕｓｅｄｔｈｅｅｘｐｏｓｕｒｅｄｏｓｅｓ．Ｉｎｔｈｅ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｂｅａｍＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＳｙｓｔｅｍ，Ｈｏｌｅａｒｒａｙ，Ｃｏｌｕｍｎａｒｒａｙ ＋苏州上业园区若水路３９８号，２１５１２５ｗｈｓｈｉ２００７＠ｓｉｎａｎｏ．ａｃ．ｃｎ１５５ 第十六曩全田化古物牛—．＇‘，—【翻：囊ｌ伟和光电●ｌ件学术◆｛文 ｌ引言 纳米加工技术在“纳米时代”已经成为微电子、光电子、微纳机电技术、微纳光学等学科进步的基础。特别是纳米光刻技术，更是构造大部分纳米结构的起点，在纳米加 工中占有举足轻重的地位。目前，浸入式投 影光刻【１１、Ｘ射线光刻【２Ｊ以及电子束光刻等均能实现纳米级图形加工。然而对于前两种技术，其设备硬件以及掩膜版制备都非常昂贵，对于很多实验室研发工作来讲，尚无法承担。电子束光刻（特别是矢量扫描型设备）【３Ｊ，由于其无需掩膜版，工作方式灵活，分辨率高【４】（最小可加工线宽达到１０ｒｉｍ），以及相对低廉的价格，成为实验室普遍采用的纳米光刻手段。 对于某砦矢量扫描型电子束曝光设备１３１，其对于弧形图形的处理一般采用大量矩形无限逼近的方式，如果所需曝光的图形含有大量弧形线条的话，往往会在图形转换上花费很长时间，而且最后所得到的机器格式的文件也会非常庞大，这无疑会增加电子束光刻的成本与难度。比如采用ＪＥＯＬ公司提供的图形转换软件，转换１０００×１０００个直径２００ｎｍ，周期４００ｎｔｏ的圆孔阵列，需要耗时４０分钟，转换后文件大小达到２００Ｍ。而这样的圆孔阵列在光子晶体、微光学等研究中经常要用到且其规模远大于１０００× 保证光刻图形的精度，我们会选择主频允许下的尽量小的扫描步长（一般小于４ｎｍ）。如果我们故意把扫描步长变得很大，则很可能会出现图形的不连续，即出现一个个圆形的束斑停留“痕迹”。见图ｌ所示，其中虚线部分的矩形是所设计需要描画的图形，Ｌ为扫描步长，圆形部分则为束斑停留的“痕迹”。由于束斑是圆形高斯分布的，其停留“痕迹”也是圆形。依据束流以及停留时间的长短，“痕迹”部分的光刻胶会被相应曝 光，曝光剂量越大，由于邻近效剧５１，被曝 光的光刻胶范围也会越大，得到的“痕迹”直径越大。 图ｌ，图形扫描示意图：扫描步长较大时，图形出现不连续，其中