基于LAPS铜离子薄膜传感器研究.pdf

基于LAPS 的铜离子薄膜传感器研究 胡卫军 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院，重庆 （400067） E-mail ：hwjun2000@ 摘 要：采用Cu2+选择电极的硫属玻璃敏感材料，结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感 器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积了对Cu2+敏感的薄膜材料，研制了一种新型Cu2+ 选择薄膜传感器。该传感器基底为n型单晶硅片，金属接触层为Cr/Au。通过实验可以得出该 传感器的检出下限为 1.15×10-7 mol/L ，响应时间小于2 min,适用溶液pH 范围 4 ～7 ，具有测 量快速灵活，所需样品少，测量下限低等特点。此外，由于采用交流的光激发电流信号进行 测量，所以相对于离子选择电极其灵敏度得到了提高。实验结果证明了该薄膜微型传感器是 测量金属离子浓度一种新的有效器件。 关键词：Cu2+敏感薄膜传感器；光寻址电位传感器；脉冲激光沉积 中图分类号：O657.15 1 引言 随着城市的扩大和大规模工业的发展，大量生活污水和工业废水排入水体，进入水体的 重金属离子（如Zn2+ 、Pb2+ 、Cd2+ 、Cu2+ 、Cr6+ 、Hg2+等），或者通过饮水，或者通过生物富 集以及食物链等方式最终危害人体健康。Cu2+检测使用的传统和常规检测方法（如原子吸收 光谱和原子发射光谱等）需要熟练的操作人员，不能或不便在户外使用，一般是在实验室进 行，即现场采样后进行离线分析，存在测量周期长、分析步骤复杂、分析仪器昂贵、采样频 率低以及样品不易保存等缺点[1] 。在某些情况下，需要即时知道环境污染状况，以便及时迅 速制定相应的对策，因此亟需研究出便捷的新型检测方法或传感器。 俄罗斯圣彼得堡大学化学系研制了Cu离子选择全固态电极，具有较强的耐腐蚀性，电 极寿命可达1年[2] ；M ．J ．SchÖning 等人采用脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition,PLD ） 技术将Cd2+敏感硫属玻璃材料沉积在硅片上作为离子选择电极的传感头。在pH=2.5-2.8 的情 况下，Cd2+ 的检测限可以达到4×10-7mol/L[3] 。 光寻址电位传感器（Light-addressable Potentiometric Sensor,LAPS ）的基本原理是半导体 硅的势垒光伏效应，当一定波长的光从正面或背面照射LAPS 时，半导体吸收光子，发生禁 带到导带的跃迁随即产生了电子空穴对，在硅层势垒区域中产生激发载流子，当在LAPS上 加偏压时，内建电场将使异号的剩余载流子向相反方向移动，在硅层中的载流子在外电场作 用下沿着电场方向漂移，形成耗尽层（N型硅加负压，P型硅加正压），靠近耗尽层的电子空 穴对来不及复合，就被分离到耗尽层的两端。如果采用强度调制的光源照射，就会产生电子 空穴对的交替变化，这时就可以在有耗尽层、敏感层以及外电路组成的交流通路中测量得到 [4] 光激发电流，这个交变电流就反映了敏感膜的响应 。 本文在PLD 技术和Cu 离子敏感硫属玻璃材料的基础上，在LAPS 上制备了一种Cu2+ 选择薄膜传感器，同时对该薄膜传感器的有关特性进行了研究。 2 实验 2.1 仪器和试剂 He-Ne 半导体激光器（美国coherent 公司）；273A 型恒流恒压源（美国EGG 公司）； 锁相放大器SR830 （美国SR 公司）；PLD 的光源为KrF 激光源； Cu2+敏感硫属玻璃材料 - 1 - （Cu-Ag-As-Se，由俄罗斯圣彼得堡大学化学系提供）；所用化学试剂均为化学纯试剂。 2.2 LAPS 薄膜传感器的制备 选用电阻率为 10～20Ω㎝的N 型、晶向为100 的单晶硅片作为LAPS 的衬底。硅片经 抛光清洗烘干后，放入高温扩散炉中进行热氧化，使硅片正面在干燥氧气中生长一层厚度约 为30nm 的SiO 薄膜（Si+O →SiO ）。用离