第十五章基本放大电路(新)课件.pptVIP

本章要求： 本章作业： 第89页起 15.3.4 15.3.5 15.4.5 15.4.6 15.4.7 15.6.4 15.8.2 第92页拓宽题 15.7.6 (1)(2) 放大的概念: 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成（到） 15.1.3 共射放大电路的电压放大作用 结论： 15.1.3. 共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直、流通路和交流通路 15.2 放大电路的静态分析 15.2.1 用估算法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 15.3.1 动态分析-微变等效电路法 2. 图解分析 3. 非线性失真 3. 非线性失真 15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 温度变化对静态工作点的影响 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15.6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.7 多级放大电路及其级间耦合方式 2.阻容耦合放大电路 例1: 解: 解: 解: 15.8 差分放大电路 15. 8. 1 差分放大电路的工作原理 1. 零点漂移的抑制 2. 信号输入 2. 信号输入 (3) 比较输入 15. 8. 2 典型差分放大电路 15.9 互补对称功率放大电路 15.9.1 对功率放大电路的基本要求 15.9.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 15.10 场效应管及其放大电路 15.10.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 15.10.3 场效应管放大电路 15.10.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ (2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D P型硅衬底 N+ N+ D S + G EG - UGS 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；当UGS UGS（th）时，还在表面形成一个N型层，称反型层，即勾通源区和漏区的N型导电沟道，将D-S连接起来。 UGS愈高， 导电沟道 愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 P型硅衬底 N沟道 N+ N+ D G S - - - - 耗尽层 EG + - UGS N型沟道增强型绝缘栅场效 应管的导通 P型硅衬底 N+ EG S – G + N+ D N沟道 – + ED ID 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为 导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 在一定的UDS下漏极电 流ID的大小与栅源电压 UGS有关。所以，场效 应管是一种电压控制电 流的器件。 (3) 特性曲线 转移特性曲线 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 无沟道 有沟道 UGS/V UGS(th) UDS=常数 ID/16mA O 开启电压UGS(th） N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电