2013-78太阳电池工艺流程简介—钱善春.pptx

太阳电池工艺流程简介目录一、引言二、工艺流程图三、各工序工艺原理及基本操作简介四、回顾一、引言1.1、太阳能在生活中的应用一、引言1.2、什么是太阳能电池顾名思义：这是一种将太阳光能直接转换为电能的半导体器件，利用的是器件的光生伏特效应。光生伏特效应(追根溯源)：当物体受光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。具体说，就是当太阳光或其他光照射半导体的 PN 结时，就会在 PN 结的两边出现电压 , 叫做光生电压，当接入负载后，就会产生光电流。一、引言1.3、太阳电池种类太阳电池种类：1)?Si太阳电池 2)?GaAs太阳电池 (砷化镓）3)?染料敏化电池4)?Cu2S电池硅太阳电池：1)单晶硅片2)多晶硅片3)非晶硅薄膜4)多晶硅薄膜一、引言1.4、硅片的类型公司生产投入的硅片是Ｐ型 硅,内部掺杂硼（B）元素由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的晶体称为多晶在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶一、引言1.5、何谓“工艺”工艺（Process）：将原材料或半成品加工成产品的方法、技术等，尤指工艺流程。黄金首饰的一般加工工艺流程：熔金→倒模→抛光→执模→压光→车花→QC（检测）→成品入库一、引言1.5、何谓“工艺”硅片如何变成太阳能电池二、工艺流程图刻蚀去PSG硅片拆包制绒清洗扩散检测分检烧结丝网印刷镀膜包装入库三、各工序工艺原理及基本操作简介3.1制绒清洗工序：制绒清洗目的：清洗硅片，消除表面硅片表面有机沾污和金属杂质去除硅片表面的机械损伤层在硅片表面形成表面织构，增加太阳光的吸收减少反射三、各工序工艺原理及基本操作简介工艺方法：酸制绒清洗方法利用硝酸和氢氟酸的混合液体系对硅进行腐蚀：硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为：?而氢氟酸使在硅表面形成的二氧化硅不断溶解，使反应不断进行，其反应为：生成的络合物六氟硅酸溶于水，通过调整硝酸和氢氟酸的比例，溶液的温度可控制腐蚀速度；最终在硅片表面形成如左图的表面织构，增加太阳光的吸收减少反射。三、各工序工艺原理及基本操作简介延伸：绒面陷光原理光在入射到硅片表面时，同时发生反射和折射，绒面的形成增加了光的二次甚至多次吸收，从而使得总的反射率下降。≈ 2/3入射光的能量三、各工序工艺原理及基本操作简介本工序流程：三、各工序工艺原理及基本操作简介人员基本操作三、各工序工艺原理及基本操作简介3.2扩散工序：扩散目的：形成PN结，利用PN结的“光生伏特效应”，简称“光伏效应”， 将太阳的光能转换为电能 。三、各工序工艺原理及基本操作简介工艺方法：热扩散法公司使用的原始硅片是P型硅，在高温（800度以上）石英扩散炉内，通过通入三氯氧磷（氮气携带）和氧气在硅片表面掺入一层磷，形成N型硅，从而将p型硅（掺硼）和n型硅（掺磷）制作在同一块硅片上，在P型和N型的交界面处就形成空间电荷区称PN结。炉内发生的反应为：(1)： POCl3分解：5 POCl3 = 3 PCl5+P2O5 (2)：五氯化磷与氧气反应4 PCl5+5 O2 = 2 P2O5+10Cl2(3)：五氧化二磷与硅反应2 P2O5+5 Si = 5 SiO2+4 PPN结的形成示意图：推舟机构排废口进气气源柜总电源进线 炉体柜净化操作台 计算机控制柜 三、各工序工艺原理及基本操作简介扩散炉示意图：三、各工序工艺原理及基本操作简介进气气源柜三、各工序工艺原理及基本操作简介本工序流程：三、各工序工艺原理及基本操作简介人员基本操作三、各工序工艺原理及基本操作简介3.3刻蚀去PSG工序：刻蚀目的：在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低，电池失效。去PSG目的：磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。。三、各工序工艺原理及基本操作简介刻蚀工艺方法：湿法刻蚀利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀，通过保证滚轮水平及药液配比保证硅片边缘沾液,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。三、各工序工艺原理及基本操作简介去PSG工艺方法：HF漂洗利用氢氟酸能腐蚀溶解二氧化硅的特性来除去硅片表面的二氧化硅层。 。HF 三、各工序工艺原理及基本操作简介三、各工序工艺原理及基本操作简介本工序流程：三、各工序工艺原理及基本操作简介人员基本操作三、各工序工艺原理及基本操作简介3.4镀膜工序：镀膜目的：利用光的干涉原理，减少入射