外文文献翻译---金属氧化物半导体传感器用于空气中活性气体杂质测定.docVIP

ISSN 1070-3632。 俄罗斯普通化学杂志，2008年，第12号,第78卷，第2545-2555页。宿星出版社出版有限公司,2008年。原始俄罗斯文本，L.A. Obvintseva于L. A. Obvintseva 摘要:本文对测量微量O2,NOx，CL2，ClO2,和HCl金属氧化物半导体传感器的特点进行了讨论。对半导体传感器的具体功能和这些微量杂质的检测进行了测定。对由传感器产生的信号大小在WO3-，ZnO-，和In2O3传感层进行检测，涉及到检测O3，NOx，Cl2，ClO2和HCl的浓度。通过半导体传感器检测目标杂质敏感性的反应使其适合衡量卫生区和检测大气中臭氧水平的最高允许浓度。对用半导体气体传感器的气体分析仪在开放的环境中测定气体的杂质的实例加以说明。 简介：在20世纪40年代的研究工作集中于为什吗半导体电物理特性影响气体吸附。从那时起半导体工程取得了重大进展但也提出来反问题，即从检测半导体的电物理特性的变化检测气体杂质。然而，相对于半导体1器件被立即纳入科学和技术各个领域半导体传感器，它经历了一个漫长的过程，即从实验室模型到大规模生产。这一领域的进步很大程度上归功于由I.A. Myasnikov领导的卡尔波夫物理研究所（NIFKHI）所进行的研究活动。这些研究主要是集中在发生在半导体金属氧化物表面发生的基本物理化学反应和高灵敏度传感器的物理应用（这些研究的大部分调查结果汇总见[1]）。为此，在实验室中一些经过独特设计的独一无二仪器被使用。在为测定空气中气体杂质而进行的半导体传感器设计及研究活动（主要是国外）有了显著发展的同时，适合进行大规模生产的商业技术也有了很大进步[2-7]。这些成果使得多种感应器的商业化生产达到了极限。主要的金属氧化物半导体感应器制造商是英国的City Technology公司和日本的Figaro Inc公司。 它们的主要缺点是半导体传感器的选择性差，但它们的所具有的优点，即灵敏度高，灵捷性，体积小和大规模生产成本低，仍然使它们在气体分析的应用中具有很强的竞争力。至于半导体传感器的选择性，很多研究都在努力提高半导体气体的选择性，这个问题在许多应用中得到解决[4, 8]。 半导体传感器提供了太多的保证，特别是在污染监测点，通过长期的检测，反映在大气中的微量杂质（在认为排放量的情况下），以控制工业区和住宅区的空气质量。最近，移动空气质量监测站的申请数量在不断增加，这需要廉价的便携式气体分析仪设备。在这里，分析设计测量空气中微量O3，NOx，Cl2，ClO2，和HCl的半导体传感器是非常必要的。其在大气中含量的增加，由于汽车尾气排放（NOx）和热电联产电站的（NOx，HCl），化学工业，微电子，有色冶金（C12，НСl），漂白设施，废水和污水处理厂（O3，Cl2，ClO2），以及在烟雾（O3，NOx，NOx）每日循环光催化反应。 Fig.1传感器的设计结构：（a）测量电极和感应层（顶视图）和（b）加热器（底视图）。 半导器传感器的基本操作规则 半导体化学传感器的操作是通过分析受检测半导体的样品层的电生理气体介质组成的变化引起的特点。在这里，我们将讨论半导体金属氧化物电阻传感器。半导体传感器的电阻的特征，这取决于气体的杂质浓度，是由金属氧化物半导体多晶薄膜为代表的感测层的导电性决定的。电阻性传感器的输出信号分析传感层电阻或者模拟电压信号。该传感器的传感层增加或减少，取决于杂质的类型（电子供体或受体）和半导体导电类型（N或P）。半导体传感器产生较大和完全可逆的信号O3 [4–6, 8, 18–20, 24–29], WO3 [2, 3, 9, 12, 15–17, 21, 23], ZnO [18, 19, 24, 28, 29], SnO2 [4, 22]，都掺杂或者提纯。 与N型导电性金属氧化物传感器对O3，Cl2，ClO2，NO2和NO微量杂质的受体信号通常产生曝光不足，在气体中出现这些杂质使传感器的电阻增加。可以由在不同浓度臭氧中WO3-和In2O3-基传感器的动力曲线的例子证实 [9，15，18]。所有研究的传感器产生的信号完全可逆，虽然弱于在O3中产生的信号[20–27] ，实验证明NO2，NO，ClO2和Cl2产生的信号性质相似。 Obvintseva通过研究传感器（氧化铟-或氧化锌为基础的）HCl暴露产生的特点信号表面，空气湿度，工作温度的不同能使传感器产生不同的信号，具体而言，传感器电阻可以减少或者增加。推断这种现象在发出和接收到的信号与传感器吸附的氢氧有关，随着二氧化氯对由于氯氢与氧传感器的表面氧化的结果出现。为了阐明这种氧化的合适条件，我们计算了下，在HCl转换过程中氧化的НСl在不同的温度和湿的度大气中的氧气反应的热力学平衡条件。这些计算表面在干燥的室温和低温