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第九章 半导体存储器 第九章 半导体存储器 一. 半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。 存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据?系统指令?资料及运算程序等。 二. 存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度 1. 存储容量 存储容量是衡量工作能力大小的指标,容量越大,存储的信息越多,工作能力越强。 存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用若干个“K”单元表示。例如： 210=1024 称 1K单元 ， 212=4096 称 4K单元。 在数字系统中，数据和指令通常用一定位数的字来表示，字的位数称为字长。故存储容量为： 字（字位） × m位（位）。 例如：1024字 × 8位 ?可写为“1K字×8位”，这说明它能存放1024个8位的数据。 2. 存取速度(工作速度) ★存取速度用存取周期表示。 从存储器开始存取第一个字到能够存取第二个字为止。所需的时间称为存取时间或存取周期。它是衡量存储器存取速度的重要指标。 ★存取周期越短，说明存取速度越高。 双极型存储器的存取周期为：20 ~ 50 ns， MOS存储器的存取周期为：100 ~ 300 ns。 三. 存储器的分类 分类方法有两种：功能分类和工艺分类。 1. 按功能分类 2. 按工艺分类 电荷耦合器件（CCD）：是一种新型存储器件，其制造工艺简单，集成度比MOS更高，工作速度与MOS型相当。 9.1 只读存储器 (ROM : Read Only Memory) ROM:只能读出存储器中已有的信息,而不能随时对它写入新的信息的那一类存储器。简称为:ROM。 ROM的特点：数据写入后，即使在切断电源后，信息也不会丢失。所以，只读存储器常用于存放常数?固定函数?固定程序等固定不变信息。 一. ROM的分类 1. 按写入方式分类 (1) 固定ROM (2)PROM(可编程ROM) (3)EPROM(可擦除?可编程ROM) 2. 按器件分类 (1) 二极管ROM (2) 双极型ROM (3) 单极型ROM 二. ROM的结构 ROM的结构由三部分组成: 地址译码器、存储单元矩阵、输出电路 三. 工作原理 结论：存1，字线W和位线b间接二极管； 四. ROM的逻辑关系 1. 属于组合逻辑电路 译码器部分的输出变量和输入变量（包括原变量和反变量）构成“与”的关系。 存储矩阵和输出电路部分的输出变量和存储矩阵的输入变量构成“或”的关系。 2. 进行ROM电路的分析和设计，常用阵列图来表示ROM的结构。 五. ROM的应用 1. 实现组合逻辑函数 例9.1.1 试用ROM实现如下组合逻辑函数 例9.1.2 试用ROM设计一个8421 BCD码7段显示译码器电路，其真值表如表9.1.2所示。 解：由真值表可见，应取用输入地址为4位，输出数据为7位的10 字节×7位ROM。 2.字符发生器 例如：显示的字符以光点的形式存储在ROM中，每个字符由7×5点阵组成。并显示“T”。 9.2 随机存储器(RAM) 一.静态RAM(SRAM) 2. RAM2114芯片简介 ① 存储容量:1024字节×4位=1K×4位=4K位 ② 地址线为:A9~A0 , 10根。 行地址： A8~A3 （26=64行）； 列地址： A0~A2 ， A9（24=16列）,每列=4位 ; 26 ×（4 × 24）= 64 × 64 =4096个存储单元 ③ 数据线4根： D3 ~ D0 ； 1. 位扩展(位数不够用,字数足够用) 例一:采用2片2114 （1024×4位）芯片，并联在一起，构成 1024 ×8位的存储器。 2. 字扩展（字数不够用，位数够用） 例二：用一片2/4译码器和四片2114实现 4096字节×4位的存储器。 例三：试用1K × 4位的2114RAM扩展一个 4K × 8位的存储器。 解:（1）确定芯片数N： N= （ 4K / 1K ）× （ 8 / 4） = 8（片） （2）确定地址系数D：