锰系中压压敏电阻的制备与表征 毕业论文.docVIP

摘要 国内外有关ZnO压敏电阻器中压化方法方而的研究报道很多。本文在整理诸多文献资料的基础上，通过向ZnO压敏陶瓷中掺锰、钴、铬、铋、锑等元素及改变烧结温度，期望能获得中压系列的压敏电阻器器(压敏电压V1mA：82V～200VXRD分析产物的物相组成，压敏参数仪测得产物的压敏参数。确定不同锰掺加量和不同温度对压敏电阻的压敏电压的影响。结果表明在温度1100℃，锰添加量为0.7%时，可以得到U1mA为200V，IL为10uA的压敏电阻。 关键词：ZnO压敏电阻器；添加剂；温度 Abstract In the recent decades，there have been many research reports of the fabrication techniques of medium voltage. On the basis of collection of plenty of literature，we expects to get medium voltage by adding five additives,Mn、Bi、Co 、Cr 、Sb to ZnO ceramic and changing the sintering temperature of ZnO ceramic. We get the specimens by the means of sintering the solid phase.we use the reflective microscope to observe the grain boundaries size,XRD to analysis the phase composition of the specimens,Voltage-dependent Resistor parameters tester to test the Parameter of the specimens.The purpose of this study is to determine the amount of manganese and different sintering temperature on Voltage-dependent Resistor s Parameter.The results showed that when the temperature is 1000 ℃, Mn addition level is 0.7%,we can get the specimen that U1mA to 200V, IL to 10uA. Key word： ZnO varistors addictives temperature 目录 摘要 I Abstract II 第1章 绪论 1 1.1课题的研究背景 1 1.2国内外研究状况 2 1.3 ZnO压敏电阻器的结构 5 1.3.1晶体和电子结构 5 1.3.2能带结构 5 1.4 Zn压敏电阻的电气性能 6 1.4.1 ZnO压敏电阻的电性能 6 1.4.2 ZnO压敏电阻器的性能参数 8 1.5 ZnO压敏电阻器的导电机理 10 1.5.1 ZnO压敏电阻器的晶相 10 1.5.2 ZnO的晶界势垒模型 12 1.6 降低ZnO压敏电阻片电位梯度的主要途径 13 1.6.1电阻片的配方 13 1.6.2电阻片的工艺 15 1.7压敏电阻粉体的制备和烧结理论 16 1.7.1传统固相法制备ZnO压敏电阻器 16 1.7.2化学共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体 16 1.7.3 ZnO压敏电阻的烧结和热处理 17 1.7.4 ZnO压敏陶瓷烧结过程中的液相传质机构 18 1.7.5 ZnO压敏陶瓷液相低温烧结研究动态 19 第2章 实验方法 21 2.1实验仪器及药品 21 2.2压敏样品的制备 22 2.3试样的性能测试 23 2.3.1试样密度测量 23 2.3.2压敏特性测试 23 2.3.3样品晶界大小的观察 23 2.3.4 X射线衍射分析 23 第3章 实验结果与分析 25 3.1温度与锰掺量对样品密度的影响 25 3.1.1温度对样品密度的影响 25 3.1.2锰含量对样品密度的影响 25 3.2试样压敏参数的测量 26 3.3不同烧结温度对元件晶粒大小的影响 27 3.4 X射线衍射分析 30 结束语 32 参考文献 36 致谢 36 第1章 绪论 1.1课题的研究背景 1967年7月，日本松下电器公司无线电实验室的松冈道雄在