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S3C2440对Nand Flash操作和电路原理
S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器。S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性:
l一个引导启动单元
l Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand flash l软件模式:用户可以直接访问Nand Flash存储器,此特性可以用于Nand Flash存储器的读、擦除和编程。
l S3C2440支持8/16位的Nand Flash存储器接口总线
l硬件ECC生成,检测和指示(软件纠错)。
l Steppingstone接口,支持大/小端模式的按字节/半字/字访问。
我用的开发板是天嵌的TQ2440,板子用到的Nand Flash是Samsung公司的K9F2G08U0A,它是8位的Nand flash。本文只介绍Nand Flash的电路原理和Nand Flash的读、写、擦除等基本操作,暂不涉及Nand Flash启动程序的问题。
Nand Flash的电路连接如图1所示:
图1 Nand Flash电路原理
上图的左边为K9F2G08U0A与2440的连接图,原理方面就不多介绍,去看看datasheet估计就懂得了,右边的部分是S3C2440的Nand控制器的配置。配置引脚NCON,GPG13,GPG14和GPG15用来设置Nand Flash的基本信息,Nand控制器通过读取配置引脚的状态获取外接的Nand Flash的配置信息,图2是这四个配置引脚的定义:
图2 Nand控制配置引脚信息
由于K9F2G08U0A的总线宽度为8位,页大小为2048字节,需要5个寻址命令,所以NCON、GPG13和GPG14应该接高电平,GPG15应该接低电平。
K9F2G08U0A没有地址或数据总线,只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。K9F2G08U0A主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区,main区用于正常数据的存储,spare区用于存储一些附加信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。K9F2G08U0A的存储阵列如图3所示:
图3 K9F2G08U0A内部存储阵列
由上图,我们可以知道:K9F2G08U0A的一页为(2K+64)字节(2K表示的是main区容量,64表示的是spare区容量),它的一块为64页,而整个设备包括了2048个块。这样算下来一共有2112M位容量,如果只算main区容量则有256M字节(即256M×8位)。
图4 K9F2G08U0A地址序列
要实现用8个IO口来要访问这么大的容量,如图4所示:K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。第一个周期访问的地址为A0~A7;第二个周期访问的地址为A8~A11,它作用在IO0~IO3上,而此时IO4~IO7必须为低电平;第三个周期访问的地址为A12~A19;第四个周期访问的地址为A20~A27;第五个周期访问的地址为A28,它作用在IO0上,而此时IO1~IO7必须为低电平。前两个周期传输的是列地址,后三个周期传输的是行地址。通过分析可知,列地址是用于寻址页内空间,行地址用于寻址页,如果要直接访问块,则需要从地址A18开始。由于所有的命令、地址和数据全部从8位IO口传输,所以Nand flash定义了一个命令集来完成各种操作。有的操作只需要一个命令(即一个周期)即可,而有的操作则需要两个命令(即两个周期)来实现。K9F2G08U0A的命令说明如图5所示:
图5 K9F2G08U0A命令表
为了方便使用,我们宏定义了K9F2G08U0A的常用命令
#define CMD_READ1 0x00//页读命令周期1
#define CMD_READ2 0x30//页读命令周期2
#define CMD_READID 0x90//读ID命令
#define CMD_WRITE1 0x80//页写命令周期1
#define CMD_WRITE2 0x10//页写命令周期2
#define CMD_ERASE1 0x60//块擦除命令周期1
#define CMD_ERASE2 0xd0//块擦除命令周期2
#define CMD_STATUS 0x70//读状态命令
#define CMD_RESET 0xff//复位
#define CMD_RANDOMREAD1 0x05//随意读命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0//随意读命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE 0x85//随意写命令
接下来介绍几个Nand Flash控制器的寄存器。Nand Flas
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