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第一章 半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 半导体中载流子的产生及导电机构 半导体的能带结构 电负性：以一组数值的相对大小定量地表示出元素原子在化合物中对键合电子的吸引能力（键合电子：原子中用于形成化学键的电子），称为相对电负性，简称电负性 满带电子不导电 不满带电子导电 概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 §1.4 半导体中载流子的产生及导电机构 一、载流子的产生及导电机构 令 称m*为电子的有效质量 F外 = m*a 有效质量的意义 三. m*的特点 1.决定于材料 2.与电子的运动方向有关 3.与能带的宽窄有关 内层: 带窄, 小, m*大. 外层: 带宽, 大, m*小. 因而，外层电子，在外力作用下可以 获得较大的加速度。 内层电子的能带窄，有效质量大； 外层电子的能带宽，有效质量小。 4. 对于带顶和带底的电子,有效质量恒定 在导带底电子的有效质量为正恒量; 在价带顶电子的有效质量为负恒量; 0, m*0。 0, m*0。 5. m*有正负之分 当E(k)曲线开口向上时, 当E(k)曲线开口向下时, 导带底 价带顶 电子的m*0; 电子的m*0; 能量、速度和有效质量与波矢的关系 0 m* 0 E k -π/a 正有效质量 负有效质量 0 π/a V 满带或价带：电子数 = 2*状态数 不满带或导带：电子数状态数 1.满带 对电流无贡献 2.不满带 对电流有贡献 不满带 中的电 子 电流 电子的运动方程（薛定谔方程）为 其中： 布洛赫函数 uk(x), 是一个具有晶格周期的周期函数, n 为任意整数, a 为晶格周期. 分布几率是晶格的周期函数，但对每个原胞的相应位置，电子的分布几率一样的。 波矢k描述晶体中电子的共有化运动状态。 3. 布里渊区与能带 简约布里渊区 能带 能量不连续，形成允带和禁带。 ?允带出现在以下几个区（布里渊区）中： 第一布里渊区 第二布里渊区 第三布里渊区 -π/a E（k） 0 π/a k } 允带 } 允带 } 允带 自由电子 称第一布里渊区为简约布里渊区 禁带出现在布里渊区边界（k = nπ/a）上。 每一布里渊区对应于每一能带。 E(k) 是 k 的周期性函数 布里渊区的特征：（1）每隔 2π /a 的 k 表示的是同一 个电子态；（2）波矢 k 只能取一系列分立的值，对边长为L 的有限晶体，波矢k的取值为： E（k）- k的对应意义： （1）一个 k 值与一个能级（能量状态）相对应； （2）每个布里渊区有N（N：晶体的固体 物理 学原胞数）个 k 状态，故每个能带 中有N 个能级； （3）每个能级最多可容纳自旋相反的两个电子， 故每个能带中最多可容纳 2N 个电子。 ? 能带的宽窄由晶体的性质决定, 与晶体中含的原子数目无关, ? 但每个能带中所含的能级数目与 晶体中的原子数有关。 注意: 电子刚好填满最后一个带 电子填充允许带时,可能出现: 最后一个带仅仅是部分被电子占有 →导体 →绝缘体和半导体 3s 2p 2s 1s 11#Na,它的电子组态是:1s22s22p63s1 1.导体的能带 三、 导体、绝缘体和半导体的能带 2.绝缘体和半导体的能带 6#C电子组态是:1s22s22p2 2p 2s 1s Eg 电子能量 Ec 导带底 Ev 价带顶 能带图可简化成: 禁带宽度 导带 导带 半满带 禁带 价带 禁带 价带 满带 绝缘体、半导体和导体的能带示意图 绝缘体 半导体 导体 常温下： Si：Eg=1.12 eV Ge: Eg=0.67 eV GaAs: Eg =1.43 eV 本征激发 当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 。 激 发 后： 空的量子态（ 空穴） 价带电子 激 发 前： 导带电子 空穴 将价带电子的导电作用等效为带正电荷的准粒子的导电作用。 空穴的主要特征： A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； C、EP=-En D、mP*=-mn* 因此，在半导体中存在两种载流子：（1）电子； （2）