TTL与CMOS门电路的简介(很不错).pptVIP

Diode The structure of Silicon and Germanium atom * 本章内容 二极管 三极管 TTL门电路 MOS管 MOS门电路 二极管 硅和锗半导体的结构 +4 +4 +4 +4 纯净的硅或锗半导体 二极管 价电子 纯净半导体又叫“本征半导体” +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 共价键中的电子 二极管 在纯净半导体中，电子和 空穴是成对出现的 纯金半导体中的电流非常小， 大概10-9A) 成为正离子 N型半导体 多数载流子是电子 少数载流子空穴的浓度与温度有关 多数载流子的浓度与温度无关 +4 +4 +4 +4 +5 多余电子 磷 磷称作“施主杂质” +4 +4 +4 硼 空穴 负离子 P型半导体 多数载流子是空穴 少数载流子电子的浓度与温度有关 多数载流子空穴的浓度与温度无关，与掺杂浓度有关 少数载流子电子 +4 +3 硼是受主杂质 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体 掺杂的半导体处于电中性状态 掺杂的半导体称作“非本征半导体” － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － p + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + n 耗尽层 空穴漂移 电子漂移 空穴扩散 电子扩散 threshold 二极管的V—I特性曲线 正向偏置 反向偏置 击穿电压 雪崩击穿 P N + - P N + - 阳极 阴极 R VD On On Off K R R K Off 二极管的开关特性曲线 二极管的动态特性 R VD On Off Vi t t 理想状态下 t 实际上 三极管的工作状态 饱和: 截止 0V 0V 二极管与门 . +VCC R D1 D2 A B F 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 A B F Input Output 功能表 F=A B . F A B 0V 5V 5V 5V 二极管或门 0V 0V 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0V 5V 5V 5V 1 1 0 真值表 A B F Input Output F=A+B F + A B R A B F 1 0 截止 饱和 “0” +VCC -VBB A RK RB RC F VT 真值表 Input Output A F 1 0 “1” “1” “0” 三极管非门 1 A F 逻辑函数：F=A TTL 非门 (74x) =5V VIH=3.4V VIL=0.2V TTL 非门 (74x) =5V 0.9V 负载电流 TTL 非门 (74x) =5V 4.1V 2.1V TTL 非门 (74x) 传输特性曲线 测试电路 +5V Vi Vo V V TTL 非门 (74x) 传输特性曲线 VOH Typical value=3.4V， Usually ?2.4V is OK VOL Typically 0.3V， ?0.8V is OK TH( Threshold 阈值) TTL 非门 (74x) 高电平输出特性 (TTL非门) 低电平输出特性 (TTL非门) TTL 非门输入特性 输入电流 驱动负载的能力(TTL 非门 ) 灌电流负载 T4 截止 T5 饱和 T5 饱和程度越深，驱动负载的能力越强 例如, LS-TTL (Low-power Schottky TTL)低电平输出状态下能提供 8mA 电流 *