第2章 半导体中的杂质与缺陷.pptVIP

B A P原子中这个多余的电子的运动半径远远大于其余四个电子，所受到的束缚最小，极易摆脱束缚成为自由电子。 P原子具有提供电子的能力，称其为施主杂质。 设施主杂质能级为ED 施主杂质的电离能△ED=弱束缚的电子摆脱束缚 成为晶格中自由运动的 电子（导带中的电子） 所需要的能量 =EC－ED EC ED △ED Ec Ev 施主能级靠近导带底部 对于Si、Ge掺P ED 施主杂质的电离能小，在常温下基本上电离。 （1）在Si中掺入B B具有得到电子的性质，这类杂质称为受主杂质。 受主杂质向价带提供空穴。 2.元素半导体中ⅢA族替位杂质的能级 B获得一个电子变成负离子，成为负电中心，周围产生带正电的空穴。 B－ ＋ B－ 受主能级靠近价带顶部 (2)受主电离能和受主能级 以掺B为例： 受主能级EA 受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带激发的电子所占据（空穴由受主能级向价带激发）。 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。所需要的能量称为杂质的电离能。 电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为本征激发，只有本征激发的半导体称为本征半导体。 掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数电子数），对应的半导体称为P型半导体。空穴为多子，电子为少子。 掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 N型和P型半导体都称为极性半导体 3.杂质的补偿作用 (1)ND＞NA 半导体中同时存在施主和受主杂质，施主和受主之间有互相抵消的作用 此时半导体为n型半导体 n=ND-NA (2) NDNA 此时半导体为p型半导体 p=NA- ND (3) ND≈NA 杂质的高度补偿 (2) 填隙 Si 间隙原子缺陷起施主作用 1.Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质和缺陷 三、 化合物半导体中的杂质和缺陷 ●施主杂质 周期表中的Ⅵ族元素(Se、S、Te)在GaAs中通常都替代Ⅴ族元素As原子的晶格位置，由于Ⅵ族原子比Ⅴ族原子多一个价电子，因此Ⅵ族杂质在GaAs中一般起施主作用，为浅施主杂质。 ●受主杂质 Ⅱ族元素（Zn、Be、Mg、Cd、Hg）在GaAs中通常都取代Ⅲ族元素Ga原子的晶格位置，由于Ⅱ族原子比Ⅲ族原子少一个价电子，因此Ⅱ族元素杂质在GaAs中通常起受主作用，均为浅受主。 ● 两性杂质 Ⅳ族元素杂质（Si、Ge、Sn、Pb）在GaAs中的作用比较复杂，可以取代Ⅲ族的Ga，也可以取代Ⅴ族的As，甚至可以同时取代两者，因此Ⅳ族杂质不仅可以起施主作用和受主作用，还可以起中性杂质作用。例如，在掺Si浓度小于1×1018cm-3时，Si全部取代Ga位而起施主作用，这时掺Si浓度和电子浓度一致；而在掺Si浓度大于1018cm-3时，部分Si原子开始取代As 位，出现补偿作用，使电子浓度逐渐偏低。 ●中性杂质 Ⅲ族元素（B、Al、In）和Ⅴ族元素（P、Sb）在GaAs中通常分别替代Ga和As，由于杂质在晶格位置上并不改变原有的价电子数，因此既不给出电子也不俘获电子而呈电中性，对GaAs的电学性质没有明显影响。 （2）GaAs晶体中的点缺陷 当T＞0K时： ●空位VGa、VAs ●间隙原子GaI、AsI ●反结构缺陷 —Ga原子占据As空位，或As原子占据Ga空位，记为GaAs和AsGa。 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的缺陷 由于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是负电性差别较大的元素结合成的晶体，主要是离子键起作用，正负离子相间排列组成了非常稳定的结构，所以外界杂质对它们性能的影响不显著，半导体的导电类型更主要的是由它们自身结构的缺陷（间隙离子或空格点）所决定，这类缺陷在半导体中常起施主或受主作用。 a.负离子空位 产生正电中心，起施主作用 ●+ 电负性小 ● b.正离子填隙 产生正电中心，起施主作用 c.正离子空位 产生负电中心，起受主作用 电负性大 d.负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 Au的电子组态是：5s25p65d106s1 1.Au失去一个电子—施主 Au＋ Ec Ev ED ED=Ev+0.04 eV §2.2半导体中的深能级杂质 在Ge中掺Au: Ec Ev ED EA1 Au