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杨继深 2002年8月 杨继深 2002 实践电磁兼容 - 第三章 电磁屏蔽 电磁兼容技术-电磁屏蔽 电磁屏蔽 静电屏蔽 静电屏蔽的屏蔽体用良导体制作，并有良好的接地。 磁屏蔽 磁屏蔽的屏蔽体用高导磁率材料构成低磁阻通路，把磁力线封闭在屏蔽体内，从而阻挡内部磁场向外扩散或外界磁场干扰进入，主要用于低频。 电磁屏蔽 电磁屏蔽的屏蔽体对电磁波的衰减,用于高频。 电磁屏蔽效能 实心材料屏蔽效能的计算 吸收损耗的计算 趋肤深度举例 反射损耗 不同电磁波的反射损耗 影响反射损耗的因素 综合屏蔽效能 (0.5mm铝板) 多次反射修正因子的计算 怎样屏蔽低频磁场？ 高导磁率材料的磁旁路效果 低频磁场屏蔽产品 磁屏蔽材料的频率特性 磁导率随场强的变化 强磁场的屏蔽 良好电磁屏蔽的关键因素 实际屏蔽体的问题 远场区孔洞的屏蔽效能 孔洞在近场区的屏蔽效能 缝隙的泄漏 缝隙的处理 电磁密封衬垫的种类 指形簧片 螺旋管电磁密封衬垫 电磁密封衬垫的主要参数 电磁密封衬垫的安装方法 显示窗/器件的处理 操作器件的处理 通风口的处理 贯通导体的处理 屏蔽电缆穿过屏蔽机箱的方法 穿孔金属板 截止波导通风板 在内部可将电缆延伸 表面做导电清洁处理，保持360度连接 注意防腐 屏蔽互套 屏蔽体边界 屏蔽电缆 与电缆套360度搭接 * * 电磁屏蔽 实际屏蔽体的设计 屏蔽是利用屏蔽体来阻挡或减小电磁能传输的一种技术，是抑制电磁干扰的重要手段之一。 屏蔽的目的有两个：一是限制内部辐射的电磁能量泄漏出该内部区域，二是防止外来的辐射干扰进入某一区域。 屏蔽的分类 屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 入射波 场强 距离 吸收损耗A R1 R2 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B B t 入射电磁波E0 剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/? A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB 0.37E0 ? A ＝ 8.69 ( t / ? ) dB A = 3.34 t ? f ?r?r dB 反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。 R ＝ 20 lg ZW 4 Zs ZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r 远场：377? 近场：取决于源的阻抗 同一种材料的阻抗随频率变 远场: R ＝ 20 lg 377 4 Zs Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m） f = 电磁波的频率（MHz） 4500 D f Zs 电场: R ＝ 20 lg 2 D f Zs 磁场: R ＝ 20 lg dB 150 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M 平面波 3? 108 / 2?r f R(dB) r = 30 m 电场r = 1 m 靠近辐射源 r = 30 m 磁场 r = 1 m 靠近辐射源 平面波 高频时 电磁波种类 的影响很小 电场波 r = 0.5 m 150 250 0 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 磁场波 r = 0.5 m 屏蔽效能（dB） 频率 电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。 B = 20 lg ( 1 - e -2 t / ? ) 说明： B为负值，其作用是减小屏蔽效能 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略 对于电场波，可以忽略 低频磁场 低频 磁场 吸收损耗小 反射损耗小 高导磁材料 高导电材料 高导电材料 H0 H1 R0 Rs R0 H0 Rs H1 SE = 1 + R0/RS 坡莫合金 ?金属 镍钢 1 5 10 15 冷轧钢 0.01 0.1 1.0 10 100 kHz ?r 103 饱和 起始磁导率 最大磁导率 磁通密度 B 磁场强度 H ? = ?B /? H 高导磁率材料：饱和 低导磁率材料：屏效不够 低导磁率材料 高导磁率材料 屏