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II类瓷片电容器规格
特性
Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(High Dielectric Constant Type),是适用於作旁路、耦合或用在对损耗
和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度
范围内电容量非线性变化来表徵。其特性符合以下标准:用途:1). 旁路和耦合;2). 对 Q 值 和容量稳定性要求一般的分步电路。
二、温度系数、额定电压、静电容量关系表:
温度特性 Y5P Z5U Y5V X7R 额定电压 (VDC) 50-200
500 -1000 2000 3000 50-200 500
1000 2000 3000 50-200
500 1000 2000 3000 50-200
500-1000 2000 3000 测试条件 1KHz±20%, 1.0Vrms±0.2Vrms at 25± 1℃ ΔC K M M/ Z K T -25~+ 85 ℃ +10~+ 85 ℃ -25~+ 85 ℃ -55~+ 125 ℃ DF 0.025 max 0.025 max 0.050 max 0.025 max Ri Ri≥4000MΩ UR (UR≥500VDC测试电压为500V DC ) 充电60S 耐电压测试 UR 1KV DC: 2.5U R
UR ≥1KV DC: 1.5U R +500V 构造尺寸
说明:
1). 上图为标准引线长度、形式图
形,但也可根据客户要求进行生
产。
2). C 尺寸要求为:环氧树脂包封 3.0mm 最大;酚醛树脂包封额定电压在 250VDC 以上者为 2.0mm
最大,否则为 1.5mm 最大。
3). D 与 T 尺寸根据标称容量与额定电压大小决定,一般来说:同材质情况下,容量越大, D 尺寸
越大;额定电压越高, T 尺寸越厚。
4). 可根据客户要求生产散件与适合 A/I 自动插件的编带 ( 带装 ) 产品。
三、编带尺寸规格
弯脚型:
直脚型
项目 标记 特征值 备注 标称值(mm) 允许误差(mm) 本体直径 D 11.0 max 本体厚度 T 3.5 max 引脚直径 d 0.6 +0.06/-0.05 元件中心间距 P 12.7 +/-1.0 编带孔中心间距 P0 12.7 +/-0.3 编带孔中心与元件引脚间距 P1 3.85 +/-0.7 编带孔中心与元件中心间距 P2 6.35 +/-1.3 元件脚距 F 5.0 +0.8/-0.2 △H 0 +/-2.0 编带宽度 W 18.0 +1.0/-0.5 胶纸宽度 W0 5.0 min 胶纸内边距 W1 9.0 +/-0.5 胶纸外边距 W2 3.0 max 元件下沿到编带孔中心之高度 H 20.0 +1.5/-1.0 弯脚底部到编带孔中心之高度 H0 16.0 +/-0.5 元件上沿到编带孔中心之高度 H1 32.25 max 元件底部引脚允许超出编带长度 l 1.0 max 编带孔直径 D0 4.0 +/-0.2 编带厚度 t 0.7 +/-0.2 L 11.0 max
四、电性能
4.1静电容量
电容器之静电容量是以图一、图二、图三为原则,依据测定条件定其容量应在规定允许误差范围内,并在室温25℃之状态下进行。
4.2 损耗角(tanδ)及Q值
与静电容量之测量同一条件下进行,并以下式计算时满足下表。
特性 Q规定值 静电容量 Q值 A-U 30pF以上 Q≧10000 及SL 30pF未满 Q≧400+20C V-Z 30pF以上 Q≧500 及YH 30pF未满 Q≧200+10C
损失角(tanδ)=ωCxRx
ω:2πf(f为测试频率,Hz) (C1-C2)Q1Q2
Cx:供试电容器之静电容量(F) Q=
Rx:供试电容器之等效电阻(Ω) C1(Q1-Q2)
五、特殊试验
5.1折曲试验
保持受测电容器之道线与其正规引出轴垂直,若无特别之规定,在道线之末端悬以0.5Kg
之重量,将电容器本体做90。之弯曲,然后返回原位置,再以同样的速度作向后90。之弯曲,
仍还回原来位置,如此反复一次道线不致折断。 5.2抗张强度试验
将受测体固定,在道线引出方向末端悬以0.5Kg之重量保持10,道线不致与本体脱离或折
线。 5.3焊接性试验
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