1-2014掺技术-离子注入.ppt

第1章 离子注入（Ion Implantation） 1 离子注入概述 最早应用于原子物理和核物理研究 提出于1950’s 1970’s中期引入半导体制造领域 定义 所谓离子注入，就是在离子注入机 (实际上是一个小型加速器)中把离子(例如N+、c+、o+、cr+、Ag+、Y+…等各种非金属、金属离子)加速成具有几万至几十万(甚至几百万)电子伏能量的束流，并注入于固体材料的表面。 离子注入 ：离子束射到固体材料以后，受到固体 材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在 固体材料中 离子注入改性 离子束材料改性，内容主要包括三个方面 1、改善物理性能 例如改善材料发面的电磁学及光学性能，提高超导的转变温度等； 2．改善化学性能 例如提高材料表面的抗腐蚀、抗氧化件能； 3．改善机械性能 例如改变材料表面的摩擦系数，提高表面硬度和抗磨损能力，改善 材料的疲劳性能等。 聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。 偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。 工作室：放置样品的地方，其位置可调。 　　在实际工作中，平均投影射程 RP (?) 及标准偏差 ?RP (?)与注入能量 (KeV) 的关系可从表查到。 3 离子注入的特点 3.1.特点 可以独立控制杂质分布（离子能量） 和杂质浓度（离子流密度和注入时间） 各向异性掺杂 容易获得高浓度掺杂 （特别是：重杂质原子，如P和As等）。 3.2.离子注入与扩散的比较 3.3.离子注入控制 离子束流密度和注入时间控制杂质浓度 （注入离子剂量） 离子能量控制结深 杂质分布各向异性 注入剂量的测量和控测 设靶片注入面积为A，则单位面积的注入离子数(称注入剂量)为 D=N/A=ic△t/(A.n.e) 式中ic为注入离子的束流强度，单位：安培，当ic恒定时，可由微安表读出； t是注入时间，单位是秒 ； e是电子电荷1.6×10-19C； n是电荷数量； A是注入面积。 离子注入时离子束的能量由引出电压的高低来决定，其计算公式为： E=Z.U.e E:Kev(千电子伏特） Z：离子电荷态 U：加速电压 KV e：一个电子所带电量 1.6× 10-19C 半导体掺杂用离子注入机的能量范围为20～400千电子伏。 硼离子注入硅的注入深度一般在1微米以下，束流强度为几十至几百微安 为了获得特定的注入浓度和杂质分布，需要正确选择注入剂量和能量。 3.4.阻止机制 典型离子能量：5～500keV 离子注入衬底，与晶格原子碰撞，逐渐损失其能量，最后停止下来 两种阻止机制：核碰撞和电子碰撞 3.4.阻止机制 核阻止 – 与晶格原子的原子核碰撞 – 大角度散射（离子与靶原子质量同数量级） – 可能引起晶格损伤（间隙原子和空位）. 电子阻止 – 与晶格原子的自由电子及束缚电子碰撞 – 注入离子路径基本不变 – 能量损失很少 – 晶格损伤可以忽略 4 注入损伤 注入离子将能量转移给晶格原子 – 产生自由原子（间隙原子－空位 缺陷对） 自由原子与其它晶格原子碰撞 – 使更多的晶格原子成为自由原子 – 直到所有自由原子均停止下来，损伤才停止 一个高能离子可以引起数千个晶格原子位移 注入损伤过程 离子与晶格原子碰撞，使其脱离晶格格点 衬底注入区变为无定型结构 5 退火的作用 杂质原子被激活 高温热能帮助无定型原子恢复单晶结构 退火前后的比较 退火有两种方式。 ①高温（约 900℃）热退火为常用的方式。在集成电路工艺中，这种退火往往与注入后的其他高温工艺一并完成。这些高温工艺会引起杂质的再一次扩散，从而改变原有的杂质分布，在一定程度上破坏离子注入的理想分布，高温过程也可使过饱和的注入杂质失活。 ②瞬态高温退火是正在研究和推广的退火方式。 这种方式包括激光、电子束或红外辐照等瞬态退火。 这种方法虽属高温，但在极短时间内(小于几秒)加热晶体，既能使晶体恢复完整性，又可避免发生明显的杂质扩散。 7、离子注入应用 1）离子注入机应用于掺杂工艺 离子注入首先是作为一种半导体材料的掺杂技术发展起来 。在半导体工艺技术中，离子注入具有高精度的剂量均匀性和重复性，可以获得理想的掺杂浓度和集成度，使电路的集成、速度、成品率和寿命大为提高， 2）、离子注入应用于金属材料改性70年代以后，离子注入在金属表面改性方面的应用迅速发展。 改变材料表层的化学成份、物理结构和相态，从而改变材料的力学性能、化学性能和物理性能。 如材料的声学、光学和超导性能，提高材料的工作硬度、耐磨损性、抗腐蚀性和抗氧化性，最终延长材料工作寿命。 M EVVA源离