4第四讲 导电功能及复合材料1.pptVIP

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上节回顾: 一、磁性材料 二、 电磁波屏蔽复合材料 电磁屏蔽原理 屏蔽效能:shielding effect (SE) 电磁波屏蔽性能主要取决于材料的导电性;与频率相关。 复合材料:导电网络的形成。 三、 吸波复合材料 吸波基本原理:干涉作用和吸收作用 吸收作用:匹配特性,衰减特性 复介电常数和复磁导率 吸波性能的表征(电磁波反射率) 第三章 导电功能与复合材料 一、概述 电导率: 电阻率: 室温下,不同材料的电导率 单位 电流密度/电场强度 二、金属导电的机制 金属的电阻率随温度的降低而降低,最终达到一个有限值 为线性温度系数 Matthiessen公式(rule): 晶格原子在平衡位置的热振动+掺杂+缺陷 弛豫时间: Cu和Cu-Ni合金的电阻率随温度的关系 纯金属 量子力学角度分析: 二维速度空间的电子速度(a)平衡下(b)应用电场后。除去阴影部分的电子,其他电子都有相应的具有大小相等、方向相反的电子和其抵消;只有具有阴影部分中速度的电子没有被抵消,所以只有这部分电子对材料的传导起作用。 合金 在溶质浓度较低时,随着溶质浓度的增加,合金电阻率增加;斜率保持不变 原子尺寸的不同引起晶格常数的变化,从而引起电子散射的变化; 具有不同化合键的原子引起局部电荷的不同,增加电子散射的几率; 与基体原子相比溶质具有不同的电子浓度,改变了体系费米能级的位置以及费米能级附近的电子分布密度,从而改变体系的导电性。 不同的溶质原子对基体材料电阻率的改变不同。电阻率随着溶质和溶剂原子价电子差别的平方增加。(Linde’s 定律(rule)) 溶质浓度较低的银合金的电阻率变化。 (a)随浓度的变化;(b)1%摩尔浓度下电阻率随溶质原子价电子的变化。 原因: 溶质浓度较高的单相合金,电阻率一般在浓度50%附近会出现最大值。 Nordheim公式(rule): C是材料常数 两相合金的电阻率: 多数情况下可以表示为考虑各相的体积分数后的各相电阻率的和; 晶体结构和相的分布必须额外考虑。 Kondo效应(effect): 如含少量Fe的Cu,在低温下电阻率出现一个极小值(磁矩的散射作用)。 热阻材料:镍铬铁合金;碳复合材料 有序和无序铜-金合金的电阻率 用途: 超导性 超导体是在一临界温度下电阻率极小(比正常材料小至少1016)或者等于零的材料。 超导材料:27种单质、大量的合金、含Cu、O的陶瓷、硒或硫基的聚合物 临界温度:0.01K-130K 超导态可以认为是固、液、气之外的另一物质状态 一些金属在很大压力下也可以表现出超导性,如Ce 1911 年发现水银具有超导性; 1986 年发现铜氧基陶瓷具有超导性; 几年后临界温度高于77K:1-2-3超导体(稀土元素/碱土金属/铜) 高温超导体:液氮的沸点 电磁体、输电线等 Nb-Ti或Nb3Sn合金细线(微米)埋置在纯铜中 用途: 转变尖锐:纯的和结构良好的单质 转变在一个温度范围:合金和陶瓷 同位素效应(Isotope effect): 临界磁场强度: H0: 0 K下的临界磁场强度 超过临界磁场强度,超导性消失。它和温度相关,温度越低,临界磁场强度越高。 临界电流 正常态向超导态转变 两类超导材料: 第二类超导体:通过增加磁场消除超导态是个逐渐变化的过程,有时HC2比HC1大100余倍。(过渡金属和包括铌、铝、硅、钒、铅、锡、钛的合金尤其是Nb3Sn或Nb-Ti;陶瓷) 第一类超导体:正常态和超导态之间的转变很尖锐,临界磁场强度Hc相对低。 HC2比HC1之间的环涡旋态(vortex state) 磁通钉扎(Fluxoid pinning):受洛仑兹力运动,进而阻碍超导电流,通过晶粒间界、位错等钉扎。 陶瓷超导体中没有实现钉扎,因为温度高时的晶格振动使钉扎很难。 室温下YBa2Cu3O7-x的单胞。正交的层状结构;具有周期性存在的氧空位。 陶瓷超导体还没有被广泛应用,主要由于: 内在的脆性; 不能承载大电流; 环境不稳定性。 在一些陶瓷超导体中加入Ag,可以改善环境稳定性(减少材料的孔洞) 采用Bi基的材料可以承载大的电流 将氧化物粉末放入银管,拉线烧结,改善脆性。 热电率 热电现象(Thermoelectric phenomena, Seebeck effect) 通常几个μV/℃ Cu/Cu-45%Ni合金:43 μV/℃; -180-400 ℃ 90%Ni-10%Cr和95%Ni-2%Mn-2%Al:1000 ℃ 一些半导体的热电率比金属高1到2个数量级。如Bi2Te3,Si-30%Ge 测温技术、热电发电(效率5-10%)等 1821年Seebeck发现 应用: Peltier效应 原理 PbTe或BiTe和金属接触;n-和p-型半导体与金属接触,1、2和3、4的温度差能达到70℃ 接

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