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合肥工业大学_模电 第3章课件详细讲解
第3章 半导体二极管及其基本应用电路;3.1 半导体的基础知识;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。
例如：;+4;+4;本征半导体的导电原理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;4、本征半导体中载流子的浓度
本征激发 ：本征半导体因受激发而产生自由电子和空穴对的现象。;1. 半导体中两种载流子;3.1.2 杂质半导体;+4;二、 P 型半导体;说明：; 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 ;耗尽层;3). 空间电荷区产生内电场;5). 扩散与漂移的动态平衡;2、 PN 结的单向导电性; 在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。; 耗尽层; 耗尽层;
当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态；
当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。
;IS ：反向饱和电流
UT ：温度的电压当量
在常温(300 K)下，
UT ? 26 mV;4.PN结的伏安特性; 当加于PN结的反向偏置电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。 ?击穿形式分为两种：雪崩击穿和齐纳击穿。
齐纳击穿：高掺杂情况下，耗尽层很窄，不大的反向电压就可形成很强的电场，而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚形成电子－空穴对，致使电流急剧增加。;5.PN结的电容效应; 空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。;2. 扩散电容 Cd;综上所述：; 3.2 半导体二极管;1. 点接触型二极管;3 平面型二极管; 3.2.2二极管的伏安特性;2.温度对二极管伏安特性的影响;3.2.3 二极管的主要参数;3.2.3 二极管的主要参数;3.2.4 二极管的等效电路; 例3.2.1; 应用举例;3.2.5 基本应用电路;u1;2.开关电路;3.集成运放输入端保护电路 ; 2. 低频交流小信号作用下等效电路;3.3稳压二极管;(1) 稳定电压UZ; 3.3.2 稳压管的基本应用电路;（2）设负载变化(电源不变) ;例1：稳压二极管的应用;RL;例2：稳压二极管的应用;2. 限幅电路 ;四窗口比较器;发光二极管 LED (Light Emitting Diode)将电能转换为光能的半导体器件。正偏时，有正向电流通过而发光，其正向通态管压降为1.6—2.2V.
;发光类型：
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