博士答辩稿-超深亚微米器件结构研和超浅结工艺模拟.pptVIP

超深亚微米新器件结构研究和超浅结工艺模拟 答辩人：xxx 导师：xxx 提纲 前言 第一部分：新器件结构设计与工艺研究 准SOI器件结构设计和模拟研究 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 氢氦注入在其他SON型器件方面的应用 第二部分：超浅结工艺模拟——U-LEACS 超浅结工艺和模拟方法介绍 U-LEACS中的物理模型 U-LEACS中的算法 模拟结果和实验结果的对比 总结 前言——What’s the problem? 摩尔定律继续前进，器件尺寸进入超深亚微米； 关态泄漏电流IOFF问题日益突出； ION和IOFF互相制约，体现了电路功耗和速度之间的矛盾； Trade-Off Between IOFF and ION is the must. 前言——What’s the solution? New Drive Force For Moore Law! 新结构器件 新工艺 What I will do? 准SOI器件和SON器件 超浅结工艺模拟 第一部分：新器件结构设计和工艺研究 超深亚微米器件优化设计方法 准SOI结构设计和模拟研究 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 利用氢氦注入制备其他SON型器件方法 超深亚微米器件优化设计方法 超深亚微米器件优化设计方法 电学衬底的设计实例1： 部分SON MOSFET; 具有近似理想的亚阈值特性; 能够形成重掺杂源漏扩展区; 超深亚微米器件的优化设计 电学衬底设计实例2（Silicon-On-Depletion Layer） 第一部分：新器件结构设计和工艺研究 超深亚微米器件优化设计方法 准SOI结构设计和模拟研究 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 利用氢氦注入制备其他SON型器件方法 准SOI结构设计和模拟研究 设计目的：抑制关态泄漏电流 常规器件中的电流泄漏通道(Simulated by ISE?) 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI结构器件——介质隔离源漏和体区 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI结构器件——抑制DIBL效应 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI结构器件——抑制源漏结区泄漏电流 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI结构器件——减小源漏/体电容CDB 低K介质取代耗尽电容使得寄生电容降低，可以期待更好的交流特性 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI结构器件——抑制自热效应（PD-SOI和准SOI晶格温度比较） 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI结构器件——利用绝缘层高度h1控制有效结深(dSi-h1) 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI和PD-SOI, UTB-SOI、体硅器件的模拟比较 模拟参数（L=100nm, Tox = 3nm, Vt@(Vds=1.5V)=0.27V） 模拟中包含的物理模型 ISE Manual Hydrodynamic Thermodynamic 迁移率高场退化模型(High Field Mobility Degradation) 带间隧穿(Band-to-Band Tunneling) …… 准SOI结构设计和模拟研究 转移特性比较（Vds=1.5V） 准SOI结构设计和模拟研究 驱动能力比较 准SOI结构设计和模拟研究 准SOI的优点： 抑制DIBL效应； 抑制体区穿通； 避免了超浅结掺杂； 减小源漏寄生电容； 自热效应小； 在关态特性和驱动能力之间达到了良好的平衡； 第一部分：新器件结构设计和工艺研究 超深亚微米器件优化设计方法 准SOI结构设计和模拟研究 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 利用氢氦注入制备其他SON型器件方法 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 氢氦注入半导体材料可以形成空洞层 空洞层在半导体技术中的应用 功率器件中作为吸杂技术 载流子寿命控制 研究光致发光现象 SmartCut?制备SOI衬底材料，制备MEMS器件 氢氦注入联合氧渗透技术可以形成无体积膨胀的部分SOI* 直接将氢氦注入技术包含在MOS器件制备流程中还没有报道 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 氢氦注入应用于器件制备中产生的衍生结构 SON器件(Silicon On Nothing MOSFET) 即整个硅片中注入氢氦形成隐埋的空洞层，器件制备在空洞层上的规模中。可以预计这种结构应该具有类似SOI器件的电学特性 SON和SOI特性比较 DIBL随介电常数的变化（模拟结果） SON和SOI特性比较 DIBL效应随栅长的变化（模拟结果） 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 全SON器件制备中的关键工艺－氢氦注入形成空洞层 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 全SON器件制备中的关键工艺－氢氦注入形成空洞层 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 全SON器件制备中的关键工艺－氢氦注入形成空洞层 利