溅射气压对MN薄膜晶体形貌和介电性能的影响.docVIP

2015 届毕业设计（论文） 题 目：溅射气压对BMN薄膜晶体形貌和介电性能的影响 专 业： 班 级： 姓 名： 指导老师： 起讫日期： 年 月 溅射气压对BMN薄膜晶体形貌和介电性能的影响 摘要 本实验采用磁控溅射法，在不同溅射气压下（本实验所采用的实验气压为0.8Pa、1.6Pa、3.2Pa、4.0Pa、5.6Pa），于Si基片上沉积铌酸铋镁（Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN）薄膜,主要研究了不同的溅射气压对BMN薄膜的结构、表面形貌和介电性能的影响。实验结果显示，制得的BMN薄膜具有立方焦绿石结构。在高气压下所得到的BMN薄膜，其晶粒尺寸较低气压下所制得的薄膜大。但当气压到5.6Pa时晶粒尺寸变小。薄膜的介电常数以及介电调谐率随着气压的增大而增大。薄膜的漏电流随之气压的升高而减小。另外，气压的升高对Bi2O3的挥发也有很好的抑制作用。 关键词：磁控溅射、铌酸铋镁(BMN)薄膜、介电调谐率、漏电流密度 Effects of sputtering pressure on the structre and dielectric properties of Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7 thin film Abstrict In is work we prepared BMN(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7) thin films on Si substrate by radio frequence magnetron sputtering under different pressure.(Test pressure:0.8Pa,1.6Pa,3.2Pa,4.0Pa,5.6Pa).The effects of sputtering pressure on the structure,surface morphology and dielectric properties of BMN thin films were investigated.The results show that the prepared BMN thin films exhibit cubic pyrochlore structure.And, the grain size of the film deposited in high sputtering pressure are bigger than that one which deposited in low sputtering pressure.However ,while the sputtering pressure reaches to 5.6Pa ,the grain size of the BMN thin film becomes smaller. The dielectric properties and dielectric tunability of BMN thin films increases with the increaseing of the sputtering pressure.And leakage current density of this film drops with the increaseing of the sputtering pressure.Besides,the increaseing of sputtering pressure can restrain the volatilization of Bi2O3. 目 录 摘要 I Abstrict I 第一章 绪论 1 1.1 BMN薄膜的研究背景及意义 1 1.2 BMN薄膜研究现状 3 1.2.1 国内外相关研究 3 1.2.2 Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7结构及其特点 3 1.3 本文研究内容 5 第二章 研究方法与实验 6 2.1 BMN陶瓷靶材的制备 6 2.2衬底的预处理 8 2.3 BMN薄膜制造工艺 8 2.4 电容结构BMN薄膜样品的制备 9 2.4.1 MIM薄膜电容器结构 9 2.4.2 电极的制备 10 2.5 对薄膜进行表征 10 第三章 实验结果与讨论 12 3.1 溅射气压对BMN薄膜相结构的影响 13 3.2溅射气压对BMN薄膜表面形貌的影响 13 3.3溅射气压对BMN薄膜电性能的影响 14 第四章 结论 17 参考文献 18 致谢 19 第一章 绪论 1.1 BMN薄膜的研究背景及意义 所谓介电可调薄膜材料是指一种介电常数会随着外加偏压电场的变化而发生明显变化的材料。可以利用这种特点制成各种微波压控器件[5]。如移相器、可调滤波