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焦平面APD探测器的国内外技术现状发展趋势
红外焦平面探测器的国内外技术现状和发展趋势
焦平面APD探测器的背景及
焦平面APD探测器主要是由:和读出电路ROIC)两部分组成,其中核心元件。
1APD
雪崩光电二极管(APD)是一种具有内部增益的半导体光电转换器件,具有量子响应度高、响应速度快、线性响应特性好等特点,在可见光波段和近红外波段的量子效率可达90%以上,增益在10~100倍,新型APD材料的最大增益可达200 倍,有很好的微弱信号探测能力。
2、APD阵列的分类
按照APD的工作的区间可将其分为Geiger-mode APD(反向偏压超过击穿电压)线模式低于击穿电压)
(1)Geiger-mode特点
1)极高的探测灵敏度,单个光子即可雪崩效应
2)GM-APD输出信号在有高的时间分辨率,进而有
3)较高的探测效率,采用单脉冲焦平面阵列成像方式;
4)较低的功耗,体积小,集成度高;
5)GM-APD输出为可以直接进行数字处理,ROIC)不需要前置放大器和模拟处理模块,即更简单的
缺点:
死时间效应:-APD饱和后需要一定时间才能恢复原来状态,为使其可以连续正常工作需要淬火电对进行抑制。
2)GM-APD有极高的灵敏度,其最噪声因素更加敏感,通道之间串扰更严重。
)特点
:
探测率高,可达%以上
2)有较小的通道串扰效应;
具有多目标探测能力;
4可获取回强度信息;
相比目标有更好的探测能力。
:
1低于-APD;(现今已经研制出有单光子灵敏度的-APD)
的复杂度大于对输入信号进行放大、滤波、高速采样、阈值比较、存储等操作)信号包括强度和时间测量两部分)
半导体材料分为:Ge APD、InGaAs APD、HgCdTe APD。
其中Si的波长在,由于材料限制很难做到大于,再考虑到安全以及对高功率激光的需求,波长:um的InGaAs APD 及HgCdTe APD为研究的热点内容。
现状
工作区间进行分类讨论。
Geiger-mode APD(GM-APD)的焦平面探测器
)手段
1)APD阵列:主要采用型衬底金属有机气相()台面工艺方法;或者型衬底平面工艺方法制备。
2采用代工流片
3)封装技术:陶瓷封装在一起的探测器封装,再到半导体热电制冷()使其工作与浅低温的条件。
集成:Bump-bonding)技术或者Bridge-bonding)技术。
):
1998林肯实验室研制出*4的APD焦面探测器;
2001年研制出Gen-I系统;
2002年研制出微型的en-II;
2003年研制出en-III(APD阵列:*32)
2011年研制出(:*128)
目前为止已经可以实现::*256,测量精度:cm以内。
研究:
美国实验室、波音pectrolab公司、Princeton Lightwave公司
(4)及其原理框图
如图一所的)脉冲stop);该脉冲使读出电路时间测量单元停止计数;光脉冲到达的时间数字化,同时降低偏置实现雪崩淬灭,数据经传输处理获取目标三维距离信息。
如图二所示:InGaAs/InP APD阵列通过In柱子的倒装和下面的ROIC芯片集成,通过陶瓷封装之后,再封装到含有三级半导体热电制冷器(TEC)和石英玻璃光窗的金属管壳。
如图三所示:
的、具有能带渐变层和电荷层的结构。
2、基于线性模式APD(LM-APD)的焦平面探测器
)手段
1)APD阵列:主要()制备
2采用代工流片
3)封装技术:陶瓷封装在一起的探测器封装,再到半导体热电制冷()使其工作与浅低温的条件。
集成结构:(-stacking)互连探测器阵列技术(ertically Integrated Sensor Arrays,)
如图四所示:垂直互连代替中的平行结构,其可以克制芯片的长度限制,用于更大规模的探测器阵列和更复杂的片上信号处理系统。
(2)
2000年开始Raytheon在国防预先研究DARPA)支持下研制了:
4*432*2,10*10,4*256等不同规格的PD阵列探测器;
2001年开始RS公司对gCdTe APD进行研究,并利用高密度垂直集成光电二极管的开发形on-P APD;
2005年开始SC公司3D闪光激光探测成像传感器InGaAs APD 阵列(28×128)
2007年,Raytheon研制了一种应用于导弹系统和海军空中作战中心的HgCdTe APD三维成像雷达(APD阵列2×128),目前仪可以做出*256;
2007年,DSR公司在陆军了gCdTe APD脉冲无扫描激光雷达系统(28×128,增益可达1000)
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