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2005年2月28日 微系统技术基础--微系统工作原理 中国科技大学 工程科学学院 前章延伸：MEMS市场前景诱人、设计制造涉及到多学科的科学与工程原理的应用 了解这些器件的工作原理对新MEMS器件设计是重要的 本章给出的只是器件原理的基本信息 注意：所选器件只是由于其设计上巧妙的想法，市场上未必是成功的 概念（从能量的角度）：是将能量从一种形式转换成另外一种形式，并且针对特定的待测输入为用户提供一种可用的能量输出的器件。即是指能感受规定的被测量并按照一定规律转换成便于测量的输出信号的器件，一般由敏感元件和转换元件组成。 微传感器（Micro-sensor）是微机械的重头产品，在已开发的微机械产品中，微传感器占到90%。微传感器的体积小、功耗低响应快，便于和信号处理部分集成以构成微传感器测试系统，这些特性使其可以应用于汽车、航空航天、电机、医学、家用电器、生物化学、环境监测等广阔领域。 微传感器的出现和广泛应用是微电子制造技术扩展应用的结果。这些技术包括光刻、薄膜镀层、化学和离子加工等。它们使得传感器结构得以微型化，从而能在同一基片表面制作大量的传感器，实现批量生产。 绝大部分微型压力传感器是所谓“空盒压力计”(aneroid)形式，即将被测压力施与一个薄膜表面，然后测量其变形(已知压差-变形转换函数)。结构解析可以给出最初的结构设计依据(但是需要以实验修正)。测量薄膜位移可以用各种可能的方法，包括应变计、电容、压电(不能测DC)、光学和隧道等。通常商品压力计用应变计或电容传感原理。 如上图所示，压力计可以设计称各种类型，只要测出腔体内外压差即可。但是，腔体做成真空是比较理想的，因为这样内压不受温度变化的影响。根据Van Mullem等人的论文，一个圆周固支的薄膜中心位移与压差之间的关系有如下的函数关系 这里 P---所施加的压力，Pa; r---薄膜直径; E---杨氏模量，Pa; h---薄膜厚度，m; ν---泊松比; y---膜中心点位移。 压阻式压力传感器 典型的压阻式压力传感器使用电化学或杂化选择刻蚀得到的Si薄膜构成，绝大部分成功的器件都是这种形式。压阻元件位于薄膜的边缘，在其线性范围内给出与变形(也即压力)成比例的输出。(实际上测的是应变量)。 实际上用了4个压阻件组成电桥，以放大输出信号。在这种情况下如不做温度补偿，55℃温度范围会导致1%的输出变化。对于汽车等环境，温度系数会是问题。所以一定要温度补偿。 压阻式压力传感器的输出电路: 左边为无温度补偿的电桥；右边为带温度补偿的电桥。 表面加工技术得到的压阻式压力传感器。其好处是单种材料所以没有热胀系数差的影响。 电容式压力传感器 撇开其非线性，电容式应变计可以用来做压力传感器(因为电容与间距成反比)。正像其它应用那样，其接近0的温度系数式很有吸引力的。由于电容式压力传感器不是平面极板，所以从 对于非平面，需要求积分 此处d0式开始间隙。有限元分析等数值方法也经常被用到。 下面是一个例子，用微加工技术做的可植入人体的血压传感器，有Michgan大学1980年发表。薄膜尺寸为290x550x1.5um，间隙2um。其分辨率为0.41fF/mmHg. 返回 特种微小位移和力传感器-----SFM微探针 最初的用微加工方法制作的SiO2和Si3N4悬臂粱。 * * 微系统工作原理 微传感器与微驱动器原理（一） 微型机械量传感器 1 传感原理∶电阻(包括压阻)传感、压电传感、电容传感和隧道传感； 2 微型传感器∶加速度传感器、压力传感器； 3 特种微型位移和力传感器∶压阻SFM传感器、压电SFM传感器、电容式SFM传感器。 微型光学传感器 微型红外和热传感器 Micro-System 微型机械量传感器的发展历史 半导体材料，特别是Ge和Si，作为机械量-电学量转换器利用起源于1957年。在此以前C.S.Smith发表了Ge和Si的压阻系数比其它材料高的结果。F.P.Burns用两块Si薄片制成了声音传感器，W.P.Mason等人几乎在同时发表了更实用化的同种器件。二者是压阻传感的开始。 这之后，随着半导体材料加工技术的快速发展，材料变得更容易获得。1960年左右丰田理研开发出了十分实用的半导体应变传感器，同时,W.P.Wason等人制作了细长的Si传感器，可以贴在弹性体上作为载荷计使用。1961和1962年的Instrument Society of America大会上半导体应变传感器相关的报告很多。在此基础上，MicroSystem、Baidwin-Lima-Hamiton、和Kulit