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第3章 载流子输运现象 半导体器件物理 第3章 载流子输运现象 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第3章 载流子输运现象 * 本章内容 载流子漂移 载流子扩散 产生与复合过程 连续性方程式 热电子发射过程 隧穿过程 强电场效应 第3章 载流子输运现象 * 1 2 3 4 5 6 随机热运动 E=0 半导体中电子会在所有方向做快速移动（热运动），如下图。 单一电子的热运动可视为与晶格原子、杂质原子及其他散射中心碰撞所引发的一连串随机散射，足够长时间内，电子的随机运动将导致单一电子的净位移为零。 vth：平均热运动速度。 平均自由程l：碰撞间平均距离。 平均自由时间τc：碰撞间平均时间。 3.1 载流子漂移 3.1.1 迁移率 第3章 载流子输运现象 * 小电场E施加于半导体，每一个电子上受到-qE的作用力，且在各次碰撞之间，沿着电场的反向被加速。因此，一个额外的速度（漂移速度）成分将加到热运动的电子上。 一个电子由于随机的热运动及漂移成分两者所造成的位移如图所示。 注意：电子的净位移与施加的电场方向相反。 这种在外电场作用下载流子的定向运动称为漂移运动。 E 1 2 3 4 5 6 第3章 载流子输运现象 * 电子在每两次碰撞之间自由飞行，施加于电子的冲量为-qEτc，获得的动量为mnvn，根据动量定理可得 说明电子漂移速度正比于所施加的电场，而比例因子视平均自由时间与有效质量而定。此比例因子称为迁移率μ[cm2/(V·s)]。 或 因此 同理，对空穴有 令 其中 迁移率是用来描述半导体中载流子在单位电场下运动快慢的物理量。 第3章 载流子输运现象 * 最重要的两种散射机制： 影响迁移率的因素： 散射机制 平均自由时间 迁移率 第3章 载流子输运现象 * 在单位时间内，碰撞发生的总几率1/τc是由各种散射机所引起的碰撞几率的总和，即 所以，两种散射机制同时作用下的迁移率可表示为： 碰撞几率：平均自由时间的倒数。 100 500 200 1000 50 杂质散射 晶格散射 lgT T/K 第3章 载流子输运现象 * 右图为不同ND硅晶μn与T实测曲线。小插图为理论上由晶格及杂质散射所造成的μn与T的依存性。 实例 杂质散射 晶格散射 第3章 载流子输运现象 * 下图为室温下Si及GaAs中所测得的以杂质浓度为函数的迁移率 GaAs Si 50 100 200 500 1000 2000 100 200 500 1000 2000 5000 10000 20 杂质浓度/cm-3 迁移率在低杂质浓度达到一最大值，与晶格散射所造成的限制相符 μn、μp皆随杂质浓度的增加而减少，最后在高浓度下达到一最小值 μnμp，主要是由于通常电子的有效质量小于空穴的有效质量 第3章 载流子输运现象 * 3.1.2 电阻率 外加电场影响下，载流子的运输会产生电流，称为漂移电流。 考虑一个均匀半导体样品，其截面积为A，长度为L，且载流子浓度为每立方厘米n个电子，如下图。 施加一电场E至样品，流经样品中的电子电流密度Jn等于每单位体积中所有电子n的单位电子电荷（-q）与电子速度乘积的总和，即 面积=A L 第3章 载流子输运现象 * 对空穴有类似结果，但要将空穴所带的电荷变为正，即 所以，因外加电场在半导体中引起的总电流为电子及空穴电流的总和，即 上式右端括号部分即为电导率 所以，电阻率亦为 其中，In为电子电流。上式利用了vn=-μnE。 第3章 载流子输运现象 * 非本征半导体，由于两种载流子浓度有好几次方的差异，只有其中一种载流子对漂移电流的贡献是显著的。 n型半导体，简化为（np） p型半导体，简化为（pn） 第3章 载流子输运现象 Thanks for listening！ * 本章将研究半导体器件中的各种输运现象。 * * 由前面迁移率的公式可知，迁移率直接与碰撞时的平均自由时间相关；而平均自由时间则取决于各种散射的机制。 * 电导率与电阻率互为倒数，均是描述半导体导电性能的基本物理量。电导率越大，导电性能越好。 * 第3章 载流子输运现象 半导体器件物理 * 本章将研究半导体器件中的各种输运现象。 * * 由前面迁移率的公式可知，迁移率直接与碰撞时的平均自由时间相关；而平均自由时间则取决于各种散射的机制。 * 电导率与电阻率互为倒数，均是描述半导体导电性能的基本物理量。电导率越大，导电性能越好。 *