第八章 像信息的光电变换2-2.ppt

3. 典型热像仪 （1）IR220红外热像仪 IR220红外热像仪外形图如图8-49所示，它的输出信号由RS232串口输出，也可用RS422接口形式输出，工作制式可选用PAL或NTSC制式。 （2）IR210高清晰度夜间红外监视探测仪 IR210采用320×240像元非制冷焦平面的热释电红外摄像管，使用者可清楚地探测到处于完全黑暗环境下的物体。除去特殊的防雨设计，小巧的IR210还能融入使用者户外CCTV安保系统，在毫无可见光的情况下也能探测到黑暗中的入侵者。 IR210红外热像仪外形图如图8-50所示。 8.7、微光像增强器件 明朗夏天采光良好的室内照度大致在100至500lx之间 太阳直射时的地面照度可以达到10万lx 夜间无月时的地面照度只有10-4lx数量级 微光光电成像系统的工作条件就是环境照度低于10-1lx 微光光电成像系统的核心部分是微光像增强器件 （一）、微光像增强器 1、 基本原理 光电阴极将光学图像转换为电子图像，电子光学成像系统（电极系统）将电子图像传递到荧光屏，在传递过程中增强电子能量并完成电子图像几何尺寸的缩放，荧光屏完成电光转换，即将电子图像转换为可见光图像，图像的亮度已被增强到足以引起人眼视觉，在夜间或低照度下可以直接进行观察。 2、三代像增强器 一代管以三级级联增强技术为特征，增益高达几万倍， 但体积大，重量重； 二代管以微通道板（MCP）增强技术为特征，体积小， 重量轻，但夜视距离无明显突破； 三代管则采用GaAs光电阴极，使夜视距离提高1.5-2 倍以上。 Micro Channel Plate 第一代三级纤维光学耦合级联微光像增强器 二代薄片管——使用MCP MCP由上百万个紧密排列的空芯通道管组成。通道芯径 间距约12 , 长径比为40—60。通道的内壁具有较高 的二次电子发射 特性，入射到通 道的初始电子在 电场作用下使激 发出来的电子依 次倍增，从而在 输出端获得很高 的增益。MCP的 两个端面镀镍， 构成输入和输出 电极。 （二）、微光摄像CCD器件 1. 带像增强器的CCD器件 灵敏度最高的ICCD摄像系统可工作在10-6lx靶面照度下。 第一代红外热像仪在1 Km外拍摄的坦克图片 曝光4850秒 8.5 CMOS图像传感器 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）图像传感器出现于1969年,它是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像传感器件，这种器件的结构简单、处理功能多、成品率高和价格低廉，有着广泛的应用前景。 CMOS图像传感器虽然比CCD出现还早一年，但在相当长的时间内，由于它存在成像质量差、像敏单元尺寸小、填充率（有效像元与总面积之比）低（10%~20%），响应速度慢等缺点，因此只能用于图像质量要求较低、尺寸较小的数码相机中，如机器人视觉应用的场合。 1、CMOS成像器件的结构原理 1989年以后，出现了“主动像元”（有源）结构。它不仅有光敏元件和像元寻址开关，而且还有信号放大和处理等电路，提高了光电灵敏度，减小了噪声，扩大了动态范围，使它的一些性能参数与CCD图像传感器相接近，而在功能、功耗（1/3CCD）、尺寸和价格等方面要优于CCD图像传感器，所以应用越来越广泛。 CMOS成像器件的组成 CMOS成像器件的组成原理框图如图8-31所示，它的主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路，而且这两部分是集成在同一硅片上的。像敏单元阵列实际上是光电二极管阵列，它没有线阵和面阵之分。 图像信号的输出过程可由（如图8-32所示）图像传感器阵列原理图更清楚地说明。 2. CMOS成像器件的像敏单元结构 这种器件的像敏单元结构有两种类型，即被动像敏单元结构和主动像敏单元结构。前者只包含光电二极管和地址选通开关两部分，如图8-33所示。其中像敏单元的图像信号的读出时序如图8-34所示。 主动式像敏单元结构的基本电路如图8-35所示。从图可以看出，场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲出现时，V1导通，光电二极管被瞬时复位；而当复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。 图8-36所示为上述过程的时序图，其中，复位脉冲首先来到，V1导通，光电二极管复位；复位脉冲消失后，光电二极管进行积分；积 分结束后，V3管导通，信号输出。 CMOS与CCD器件的比较: CCD摄像器件—有光照灵敏度高、噪声低、像素面积小等