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晶体生长方法分类 晶体生长方法分类 晶体生长方法分类 晶体生长方法和理论 晶体生长科学 晶体材料的应用 激光晶体：激光晶体是激光的工作物质，经泵浦之后能发出激光，所以叫做激光晶体，是制备固体激光器的核心材料，如最早实现激光输出的红宝石激光器(Al2O3：Cr3+ ，波长0.6943微米)，以及目前应用最为广泛的掺钕钇铝石榴石激光器(YAG：Nd3+，波长1.06微米)； 目前，已经在350多种基质晶体和20多种激活离子的约70个跃迁波段上实现了受激发射； 晶体材料的应用 电光晶体：光在通过某些加有外场(电场、超声场、磁场等)的晶体时，光随外加场变化发生诸如偏转、强度变化、偏振面旋转等过程，从而达到控制光传播的目的；主要应用领域为：光通讯、光开关、大屏幕显示、光存储、光雷达以及光计算机等新技术；因为光在晶体中的传播特性主要与光的折射率有关，所以外场的变化是通过改变与折射率有关的量达到改变光的传播特性； 要求：在使用波长范围内，对光的吸收和散射要小；化学性质稳定；电光系数和折射率要大；折射率随温度变化小等； 晶体材料的应用 声光晶体：超声波通过晶体时，在晶体中产生随时间变化的压缩和膨胀区域，使晶体折射率发生周期性变化，形成超声导致的折射率光栅，当光通过折射率发生周期性变化的晶体时，将受到光栅的衍射，产生声光相互作用；用声光晶体制成的声光偏转器可用于激光束扫描系统，如高速激光印刷系统、激光雷达、光计算机等；声光调制器可用于光通讯、光信息处理； 要求：晶体材料的光弹系数高、折射率大、声速小、声衰减系数小、波段宽、光学均匀性好、导热率高等； 晶体材料的应用 磁光晶体：当光通过某些组成原子具有一定磁性的磁光晶体时，被磁性晶体反射或透射后，其偏振面发生旋转。由反射引起的旋转称为克尔效应、由透射引起的旋转称为法拉第效应。利用磁光效应可以制成高存储密度的计算机存储器，磁光偏转器等； 要求：具有大的法拉第旋转角、光损耗系数小而磁光常数大、具有低的饱和磁化强度、高的居里温度以及低的磁晶各向异性等； 晶体材料的应用 热释电晶体：在温度变化时，某些晶体由于结构上的非对称性，能在某一结晶学方向上引起正负电荷重心的相对位移，改变其自发极化状态，从而在该方向两边产生数量相等、符号相反的束缚电荷，具有这种性质的晶体称为热释电晶体。 热释电效应在近10年被广泛地用于辐射和非接触式温度测量领域，制备红外热释电探测器、红外热释电摄像管、空间技术中的大气温度测量、红外预警卫星等，如碲镉汞(CdHgTe)等材料。 要求：热释电系数大、介电常数小、热释电灵敏度高、居里点高以及物理化学因素稳定等； 晶体材料的应用 压电晶体：通过拉伸或者压缩使晶体极化，导致晶体表面荷电的现象称为压电效应，具有这一性质的晶体称为压电晶体。压电晶体主要用于制作滤波器、谐振器、各种测压元件、频率选择及频率控制元件，如石英谐振器、钟表振荡器、滤波器及声表面滤波器等；水晶(α-石英)是应用最为广泛的压电晶体。 主要压电晶体：水晶(α-石英)、磷酸二氢铵(NH4H2PO4)、磷酸二氢钾(KH2PO4)、铌酸锂晶体(LiNbO3)、钽酸锂晶体(LiTaO3)、钛酸钡晶体(BaTiO3)、磷酸铝晶体(AlPO4) 晶体材料的应用 半导体晶体：半导体材料是一种具有特殊导电性能的功能材料，电阻率一般在10-3-- 108Ωcm之间；半导体的电阻率对其杂质含量、环境温度以及光照等外界条件十分敏感，若按百万分之一的比例掺入少量杂质（如磷）后，其电阻率几乎降低了一百万倍，而当温度从200升高到300时，电阻率降低一半左右。半导体材料是微电子、光电子工业的核心材料。常用的半导体晶体材料有Si、Ge元素半导体，以及III-V、II-VI化合物半导体； 硅单晶是最主要的半导体基础材料； 晶体材料的应用 半导体晶体是半导体工业的主要基础材料，在晶体中占有头等重要的地位； 半导体晶体是从20世纪50年代开始发展起来的。第一代半导体晶体是锗(Ce)单晶和硅单晶 (Si)，可制成各种二极管、三极管、场效应管、可控硅及大功率管等器件以及集成电路； 除了向大直径、高纯度、高均匀度及无缺陷方向发展的硅单晶之外，人们又研究了Ⅲ-V，II-VI族化合物以及三元或多元化合物等半导体晶体； 半导体材料的分类 I（按成分分类） 元素半导体由单一元素构成的半导体材料，如锗、硅、硒等 。 化合物半导体由两种或两种以上元素构成的半导体材料，如InP, GaAs， Ga1-xAlxAs,GaN，ZnO，SiC等。 有机半导体由有机高分子材料构成的半导体，如电荷转移络合物，芳香族化合物 复合半导体：两种或两种以上半导体材料的复合，如无机/无机，有机/无机，有机/有机复合。 半导体材料的分类 II（按