电力电子和现代控制第三部分.pptVIP

绝缘栅双极晶体管IGBT 1、结构 IGBT器件的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT用P+ 基片取代了MOSFET的N+ 缓冲层P+和N- 区之间创建了一个PN结。如图所示。共有三个极：栅极G、发射极E和集电极C。 IGBT结构 IGBT等效电路 IGBT符号 2、工作原理 当UDS＞0时，分两种情况： ①若栅极电压UG＜开启电压UT，IGBT呈正向阻断状态。 ②若栅极电压UG＞开启电压UT，IGBT正向导通。 IGBT导通 导通：当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，当VCE施加正向电压时，出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。此时，P+区的空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，产生了电导调制效应，降低了导通电阻。这种方式降低了功率导通的总损耗。 另外，由于附加的PNP晶体管结构，在IGBT器件内部出现了两种电流：一种为MOSFET 电流； 一种为三级管电流。 关断：当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内，MOSFET电流迅速下降，但由于少子空穴的衰减过程的存在，晶体管电流是逐渐下降的，出现了电流拖尾现象，引起功耗升高。 绝缘栅双极晶体管IGBT MOSFET导通电流 IGBT导通电流 MOSFET 电流 晶体管电流 绝缘栅双极晶体管IGBT的静态特性 (1) IGBT的转移特性 ??是指输出集电极电流IC与栅射控制电压UGE之间的关系曲线。当栅射电压UGE＜UGEth时，IGBT处于关断状态。当UGE＞UGEth时， IGBT导通。IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与UGE呈线性关系。 (2) IGBT的伏安特性 ?? 以栅射电压UGE为参变量时，集电极电流IC和集射电压UCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性也可分为截止区、饱和区、放大区和击穿区四个部分。 截止区Ⅳ： UGEUGE(th)栅极阈值电压，IC为 零，处于截止状态； 饱和区Ⅰ： IC与UCE呈线性关系； 线性放大区Ⅱ： IC几乎不随UCE变化； 雪崩区Ⅲ：随着UCE的增大，IGBT将发生雪崩 击穿，IC突然增加，可能会导致器件损坏。 开关器件IGBT常工作于饱和状态和阻断状态，若IGBT工作于放大状态将会增大IGBT的损耗。 I C V CE V G E =0 V GE1 V GE2 V GE3 V RM 0 (c)输出特性 正向阻断区 V GE V BR I c V GE V GEth (d)转移特性 Ⅳ 绝缘栅双极晶体管的主要参数 三菱IGBT模块MG600Q2YS60A（1200V600A）的重要参数： VCES=1200 V VGES=±20 V IC=600 A VCE(sat)=2.7V Cies=41000pF tr= 0.2μs ton=0.5μs tf=0.1μs toff=1.4μs trr=0.3μs IGBT器件的驱动和保护 1、提供+15V导通栅极电压，-15V关断栅极电压； 2、提供信号隔离； 3、提供电源隔离； 基本功能： 典型驱动电路示意图 4、通过VCEsat监视进行短路保护； 5、欠压监控 6、错误记忆与错误反馈 PMOSFET与IGBT的比较 MOSFET IGBT 1、载流子： 电子 空穴和电子 2、驱动方式： 电压 电压 3、通态情况： 通态为电阻0.084欧姆 通态为饱和压降2.7V 4、输入电容： 8310pf 41000pF 5、导通延迟时间ton： 25ns 0.5μs 6、电流上升时间tr ： 140ns 0.2μs 7、关断延迟时间toff： 55ns 1.4μs 8、电流下降时间tf： 74ns 0.1μs 9、反向恢复时间trr： 620ns 0.3μs 10、开关频率： 50kHz以