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电晶体之认识和V-I特性曲线之测量

實習四 電晶體之認識與V-I特性曲線之測量 4-1 PNP與NPN之判別 NPN型電晶體 PNP型電晶體 判別電晶體的類型與好壞 電晶體的外型、編號與規格 4-2 E、B、C之判別 NPN型電晶體 PNP型電晶體 4-3 β值測試 使用「 hFE測試棒」 使用「 hFE測試座」 4-4 IE、IB與IC的關係 電晶體的工作區域 電流增益α 電流增益β 電流增益γ 4-5 輸出特性曲線 電晶體的規格 判別電晶體的類型與好壞 判別電晶體的類型(NPN型或PNP型) 判別電晶體的好壞 NPN型電晶體 NPN型電晶體是由兩層較厚的N型半導體夾著一層很薄的P型半導體所組成。 PNP型電晶體 PNP型電晶體則是由兩層較厚的P型半導體夾著一層很薄的N型半導體所組成 。 電晶體的工作區域 電晶體IE、IB與IC的關係 電流增益α 是集極電流IC與射極電流IE的比值 。 電流增益β 是集極電流IC與基極電流IB的比值,又稱為hFE 。 電流增益γ 是射極電流IE與基極電流IB的比值 。 電晶體的外型 圖4-5 各類電晶體的外型 電晶體的接腳 圖4-6 各類電晶體的接腳 日本系列電晶體的編號 美國系列電晶體的編號 歐洲系列電晶體的編號 判別電晶體的類型(NPN型或PNP型) 步驟1 將三用電表撥至1×1kΩ檔 ,並作歸 零調整。 步驟2 任選電晶體的兩個接腳,將測試棒接觸此兩個 接腳,使三用電表指針大幅偏轉,此時這兩個 接腳中必有一個接腳為基極。 步驟3 將任一個測試棒移至空接的接腳,此時若三 用電表指針仍然大幅偏轉,表示電晶體B-E接 面與B-C接面皆為順向偏壓,則測試棒未移動 的那隻接腳即為基極(B),如圖4-3(a)所 示。反之,如果將測試棒移至空接的接腳時, 若三用電表指針未偏轉,則測試棒移動的那隻 接腳即為基極(B),如圖4-3(b)所示。 步驟4 若接觸基極(B)的測試棒為黑色,則此電晶 體為NPN型,如圖4-4(a所示,反之,接觸基 極(B)的測試棒為紅色,則此電晶體為PNP 型,如圖4-4(b)所示。 判別電晶體的好壞 用三用電表測量B、E接腳或B、C接腳時, 均順向導通、逆向不通(如同二極體的特 性),表示電晶體是良好的。 若順向、逆向皆導通,或順向、逆向皆不導 通,則表示電晶體是損壞的。 NPN型電晶體 步驟1 先自行假設集極(C)與射極(E)接腳後, 如圖4-7所示。將三用電表黑棒接於假設的集 極(C),紅棒接於假設的射極(E)後,以 手指當作電阻接於基極(B)與集極(C)之 間,再記錄LI的刻度值。 步驟2 再將先前假設的集極(C)與射極(E)接腳 對調後,如圖4-8所示。將三用電表黑棒接於 假設的集極(C),紅棒接於假設的射極 (E)後,以手指當作電阻接於基極(B)與集 極(C)之間,再記錄LI的刻度值。 PNP型電晶體 步驟1 先自行假設集極(C)與射極(E)接腳後, 如圖4-9所示。將三用電表黑棒接於假設的射 極(E),紅棒接於假設的集極(C)後,以 手指當作電阻接於基極(B)與集極(C)之 間,再記錄LI的刻度值。 步驟2 再將先前假設的集極(C)與射極(E)接 腳對調後,如圖4-10所示。將三用電表黑 棒接於假設的射極(E),紅棒接於假設的 集極(C)後,以手指當作電阻接於基極 (B)與集極(C)之間,再記錄LI的刻度 值。 步驟3 比較步驟1與步驟2的LI刻度值,較大 者為假設正確。 使用「 hFE測試棒」 步驟1 先判別電晶體的類型、好壞與電晶體的E、 B、C三隻接腳。

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