GaAs 抛光工艺.docVIP

抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响 Time:2009-09-23 14:38:00??Author:??Source: 吕菲，王云彪，张伟才，武永超，赵权(中国电子科技电集团公司 第四十六研究所，天津 300220)0? 引言GaAs是重要的化合物半导体材料。由于具有Si、Ge等元素半导体材料所不具有的优越特性，使其在超高速集成电路、微波器件、激光器以及抗辐射、太阳能电池等领域得到广泛的应用。GaAs器件大多属于表面器件，也就是器件的制造是在GaAs晶片的表面完成，因此GaAs的表面质量直接影响器件的性能、成品率和寿命。以往对GaAs抛光片表面缺陷的研究主要集中在沾污、几何参数、表面损伤等方面，但是，随着集成电路线宽的不断缩小，抛光片的粗糙度、氧化层厚度、表面化学态等已成为同等重要的研究方面。近年来，随着分析检测手段的不断提高，对GaAs表面粗糙度的研究已从宏观粗糙度深入到微观粗糙度和原子尺寸粗糙度，本文主要对微观粗糙度进行研究。微观粗糙度主要是描述与表面几个原子层相关的吸附原子、空缺、扭结和台阶引起的不平整度。通过对化学机械抛光(CMP)过程中，影响抛光片粗糙度的主要因素：抛光布的性质、抛光液中SiO2溶胶的粒径及抛光液的pH值、清洗工艺的实验研究，分析这些因素对粗糙度的影响，最终确定一定的工艺参数范围，实现对GaAs抛光片表面粗糙度的控制。1? 实验设计样品采用直径100 mm、晶向为100的GaAs单晶片，经化学腐蚀后抛光。抛光片经清洗、甩干后对表面检测，粗糙度的测试采用Tencor公司生产的AS-500型台阶轮廓仪。2? 实验结果2.1? 抛光布特性与粗糙度的关系实验选用A、B、C三种不同型号的抛光布。选用粒径为(40±10)nm的B型抛光液，抛光液的oH在10.0～10.5之间，抛光转速40 r／min。实验一，只用抛光布A抛光30 min；实验二，先用抛光布A抛光30 min，再用抛光布B抛光10 min；实验三，在实验二的基础上，再用抛光布C抛光7 min，抛光结束后采用相同的清洗工艺清洗抛光片，先采用目检方式检验表面，然后用台阶仪测量粗糙度，结果如表1所示。2.2抛光液中SiO2溶胶粒径与粗糙度的关系采用硬度适中的抛光布B作为实验用抛光布，抛光液的pH在10.0～10.5之间，抛光转速40 r／min，分别用不同.径的抛光液A(粒径60 nm±10 nm)、B(粒径40 nm±10 nm)、C(粒径20 nm±10 nm)抛光。将抛光液用水按一定比例稀释后，在抛光液中加入一定量的氧化剂。结果如图1所示。不同粒径的抛光液不仅影响抛光速率，对抛光片的表面粗糙度同样也有影响。采用三种不同粒径的抛光液在相同的抛光条件下对晶片进行抛光，分别测量抛光片的粗糙度，其实验结果如表2所示。抛光液A所抛晶片表面有一层均匀的白雾，放置30 min后，表面呈现不均匀的棕色；抛光液B所抛晶片表面呈现局部有淡淡的白雾，放置一段时间后白雾加重；抛光液C所抛晶片光亮无雾。2.3 pH值与粗糙度的关系实验中，选用抛光布B及SiO2溶胶粒径(40±10)nm的抛光液，按一定比例稀释后加入氧化剂，用KOH调节抛光液的pH值，抛光转速40 r／min，结果如图2所示。2.4清洗工艺与粗糙度的关系GaAs抛光片传统的清洗工艺是采用NH4OH、H2O2、H2O的混合液(SCl)，在一定的温度下进行超声或兆声清洗。近年来开发的臭氧水清洗技术为一种新型、高效清洗方式。其过程是先用臭氧水氧化抛光片，再用浓度很低的KOH液去除氧化层，从而达到去除表面沾污的目的。实验中，采用两种不同的工艺清洗GaAs抛光片，分别测量Rα，结果如图3所示。3? 讨论3.1? 抛光布特性的影响由表1可知，硬度越小、弹性越大的抛光布所抛片的粗糙度越小，表面越光亮。抛光布是CMP过程中重要的耗材之一。它起着输送、存储抛光液，带走反应产物的作用。抛光布的硬度、弹性、剪切模量、可压缩比等参数最终影响着抛光片的均匀性、平整度和粗糙度。抛光布的硬度对抛光均匀性和表面粗糙度有明显的影响。硬质抛光布可较好地保证抛光片的表面平整度，软质抛光布可获得加工变质层和表面粗糙度都很小的抛光表面。弹性模量高的抛光布承载能力强，剪切模量高有利于抵抗旋转方向的力。抛光的去除速率与抛光布的硬度和弹性模量成正比，而和剪切模量成反比。抛光布的可压缩比决定了抛光布与抛光晶片表面的贴合程度，从而影响抛光速率和表面平坦化程度。在抛光的初始阶段，晶片的宏观粗糙度被迅速减小，特别是硬度较大的抛光布，这一变化更加明显。随着去除厚度的增加，抛光片表面的凹凸不平趋于平坦，亦即达到微粗糙修整阶段，此时软质抛光布由于具有较大的弹性和较小的可