信息与通信第二章_ARM体系结构辅助讲解基于ARM的嵌入式系统课件.ppt

嵌入式系统的软/硬件框架 最小硬件系统 ARM嵌入式系统的基本组成结构 同步动态存储器(SDRAM) 从技术角度来讲，SDRAM是在现有的标准动态存储器（DRAM）中加入同步控制逻辑（一个状态机），利用一个单一的系统时钟同步所有的地址、数据和控制信号。 使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计，提供高速的数据传输，在功能上，它类似于常规的DRAM，并且也需时钟进行刷新，可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。 SDRAM器件的引脚分为控制信号、地址和数据三类，通常，一个SDRAM中包含多个BANK，每个BANK的存储单元式按行和列寻址的。 习惯称DDR SDRAM为DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器）的缩写。DDR SDRAM是从SDRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM 同步动态存储器(SDRAM) 闪速存储器(FLASH) 相对传统的EPROM芯片，这种芯片可以用电气的方法快速地擦写 由于快擦写存储器不需要存储电容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM 它使用方便，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以快擦写存储器技术发展十分迅速 NOR技术 NOR技术闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架构，它源于传统的EPROM器件。 与其它Flash Memory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势。 在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是代码（指令）存储的应用中广泛使用。 由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。 NAND技术 NAND技术 Flash Memory具有以下特点： 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512字节；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16K字节。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。 芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，突破了每兆字节1元的价格限制。 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 基于NAND的存储器可以取代硬盘或其它块设备。 NOR与NAND Flash “flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些，而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 NOR与NAND Flash 常见的外存储器扩充装置 CF扩充装Compact Flash 所有Windows CE 支持 常见的存储器扩充装置 SD扩充装置（Secure Digital） Panasonic Scandisk Toshiba 常见的存储器扩充装置 Memory Stick Sony 2、显示装置—LCD显示器 Liquid Crystal Display，液晶显示器 液晶介于固态和液态 液晶棒状分子在外加电场的作用下排列状态发生变化，使得通过液晶显示器件的光被调制，从而在显示屏上呈现出不同颜色。每个显示象素都可以单独被电场控制。 适用于低压、微功耗电路 LCD显示器类型 段式液晶 常见段式液晶的每字为8 段组成，即8 字和一点，只能显示数字和部分字母。 字符型液晶 字符型液晶是用于显示字符和数字的 图形点阵式液晶 又将其分为TN、STN（DSTN）、TFT 等几类 触摸屏 嵌入式系统中的触摸屏分为：电阻式、电容式和电感式、表面声波式、红外式 其中电阻式触摸屏最为常用 电阻触摸屏的工作部分一般由三部分组成，两层透明的阻性导体层、两层导