ZnMgO超晶格的结构与光学特性.docxVIP

ZnO/Mg0.2Zn0.8O超晶格的结构和光学特性带隙偏移为0.5ev的ZnO/Mg0.2Zn0.8O超晶格在蓝宝石沉底（方向0001）使用氧化锌缓冲层的激光分子束外延生长而成。用截面透射电子显微镜，俄歇深度剖析和X -射线衍射验证得该超晶格结构为8nm到18nm。当井层厚度下降小于5 nm时，光致发光峰和吸收边的光致发光激发光谱显示出蓝移，显示出量子尺寸效应。氧化锌作为宽禁带氧化物半导体正日益受到人们的注意。在室温下氧化锌带隙为3.34电子伏特，在紫外线光的发射方面具有潜在应用价值。我们已经证明光泵ZnO薄膜（由六角形晶体紧密结合在一起的蜂巢结构组成）低阈值(24 kW/cm2）的室温激光行为。这里有三个有趣的发现。第一，由激子-激子碰撞引起的受激发射过程，在室温下也会发生，是因为非常大的激子束缚能（60meV）。第二，当纳米晶的尺寸调整为50nm时，这种受激发射过程的阈值非常低。第三，纵腔（longitudinal cavity）通过六角形晶体间的晶界（grain boundaries如同镜子般）自动形成。最近，我们报告，MgxZn1-xO合金膜可以通过脉冲激光沉积制备，这显示出较高的带隙（最大为x=0.33时的4电子伏特）和相似的晶格常数。激子重组的激子发射过程能够进一步被加强，如果这种低维结构如同量子井，线，点那样建造。在这里，我们报告ZnO/Mg0.2Zn0.8O超晶格的结构和光学特性。从光致发光和光致发光激发光谱中发现量子禁闭效应（quantum confinementEffect）。MgxZn1-xO超晶格通过激光分子束外延（MBE）即在超真空室内对陶瓷靶进行脉冲激光沉积（期间，利用高能电子衍射的影像进行观察）.阻隔层的Mg组分为x=0.20，相当于在纯净的ZnO异质结面（heterointerface）上0.5ev的带偏移（band offset）。在沉积过程中，氧气压力保持在1×10-6托。在超晶格沉积之前，先在蓝宝石（0001）衬底上550℃下生长一层100nm厚的ZnO缓冲层。然后在650℃下在ZnO缓冲层上生成一个10个周期的超晶格。Zno层的厚度（Lw）为1.7到12nm，Mg0.2Zn0.8O层的厚度（Lb）保持一个常数6.2nm。超晶格结构的示意图如图1（a）所示。层的厚度是通过沉积时间来控制的，同时考虑到了沉积速率（通过单层沉积实验来进行预设）。为了确定阻隔层的Mg含量，MgxZn1-xO单层薄膜在相同条件下用Mg0.1Zn0.9O作为靶在蓝宝石衬底上生长而成，用电感耦合等离子体（ICP）设备生成的光发射光谱（将薄膜溶解在0.1mol/l的HNO3溶液中）进行组分分析。注意，我们选择靶的x为0.1，是因为生长过程中Mg的凝结由于ZnO的气压大于Mg的。图1 Lw=5.7nm，Lb=6.2nm的ZnO/Mg0.2Zn0.8O超晶格的横断面示意图（a）和投射电镜照片（b）。AES测定的Lw=5.7nm，Lb=6.2nm超晶格的深度与Mg密度的图像（c）。图2，由X射线衍射图估测的超晶格周期为沉积时间和井层厚度的函数。阻隔层厚度保持为6.2nm，而阱层厚度为1.7到12nm。该插图显示了一个Lw=1.7nm的超晶格x射线衍射图（实线）和模拟曲线（虚线）。用接触模式原子力显微镜（contact-mode atomic force microscope——AFM）对薄膜表面形貌进行了检查，用透射电镜（cross-sectional transmissionelectron microscope ——TEM）对超晶格的结构进行描绘，用Augerelectron spectroscopy ——AES和X射线衍射仪（Philips, X’-pert MRD）进行深度剖析。通过PL用连续的He—Cd激光束（325nm）和PLE用氙灯产生的单色光，对其光学特性进行表征。在沉积期间，能够观察到好的反射高能电子衍射（RHEED）条纹。AFM观察到的表面形态与最近报道的ZnO薄膜的相似。超晶格粗糙度的均方根低于1nm在1um×1um的区域。六角形颗粒紧密包裹在一起。在颗粒之上，原子均匀的形成梯田和台阶结构（0.5nm高），排列成可见的六角形螺旋结构。当超晶格是直接在蓝宝石衬底上沉积，薄膜表面相当粗糙（均方根为10nm）。插入ZnO缓冲层是生长光滑超晶格的必要条件。此外，ZnO缓冲层和超晶格的沉积温度对表面的光滑各自起到优化效果。图1（b）为Lw=5.7nm的超晶格的透射电镜图像（TEM）。所设计的层结够显然被视为对比度的调制。AES测量的超晶格中Mg组分的深度剖析和测绘，如图1（c）所示。如所见，周期震荡（regular oscillation）直到超晶格底部也能观测到。这表明在连续的薄膜沉积过程中底部界面的扩散界面是