MOCVD沉积Ti与TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善.pptVIP

MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 摘要 随着大规模集成电路的发展，钨(W)以其优良化学及电学特性（其气态的化合物在反应中容易控制且具有良好的孔洞填充能力，同时钨具有很有抗电迁移能力及非常低的电阻率）作为层间互联金属的应用变得越来越广泛，但是由于由化学气象淀积（CVD）而产生的钨具有很高的应力，直接淀积在二氧化硅（SIO2）表面极易剥落而使电路中产生缺陷影响良率，故通常在CVD淀积钨前对晶圆表面进行预处理：淀积一层比较薄的钛与氮化钛复合结构的薄膜来缓释钨的应力并阻挡钨的扩散 ，由于这层薄膜最终是要留在 接触窗的底部并形成低电阻的金属硅化物，故MOCVD TI/TIN 工艺的优劣对接触窗电阻有着很大的影响。 目录 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集成电路金属互联技术概述 钨插栓多层结构及其具体工艺 MOCVD 概述 论文研究目的与内容 集成电路金属互联技术概述 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集成电路金属互联技术概述 钨插栓多层结构及其具体工艺 MOCVD 概述 论文研究目的与内容 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集成电路金属互联技术概述 在IC芯片制造中会使用到各种不同的导体。高导电性的金属被广泛地应用在形成微电子电路的连线上，在平面互联上铜和铝都是常用的导体材料，而在层间互联上，钨以及它的阻挡粘合层钛与氮化钛结构被广泛的应用于IC制造上。它们被广泛地用来制造传导线以传输电力和信号。在一个IC芯片上，微型的金属能够百万个甚至上亿个做在半导体基片上的器件。 减少连线的电阻是非常重要的，因为IC元件的速度与RC时间非常有关，它与形成金属线的导体的电阻是成比例的。电阻越低，则RC的时间就越短，IC器件的速度也就越快。钨金属已经广泛地使用在填充接触窗和金属层间的接触窗孔充当钨栓塞以链接不同的金属层，而在钨沉积之前，需要使用钛和氮化钛的阻挡层/粘合层来防止钨的扩散以及脱落。钛和淡化钛最终以串联导体的形式留在接触窗中。因此钛与淡化钛和工艺优劣严重的影响着金属的互联电阻以致IC元件的速度。 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集成电路金属互联技术概述 铝制程中金属的应用 金属 Ti/TiN充当钨的阻挡层与粘合层防止钨在沉积过程中脱落与钨对底层器件的污染 金属钨充当层间互联电阻，容易沉积，阶梯覆盖率高，电阻率低，抗电迁移能力强 铝线充当主要金属连线以及电路的PAD.电阻率低，易刻蚀，成本低。 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集成电路金属互联技术概述 铜制程中金属的应用 金属 Ta/TaN充当铜的阻挡层防止铜的扩散与污染 金属铜是主要的导电材料.电阻率低抗电迁移能力强， 无法刻蚀，大马士革工艺 TaNTa 铜 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 钨插栓多层结构及其具体工艺 6层钨插栓结构简图 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 钨插栓多层结构及其具体工艺 N-Well P-Well P+ P+ N+ N+ 钨沉积之前示意图 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 沉积完TI/TiN 示意图 通过IMP TI 和MOCVD 工艺沉积一层低于1000A的Ti/TiN 作为钨的阻挡层和粘合层 钨插栓多层结构及其具体工艺 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 钨插栓多层结构及其具体工艺 沉积完钨示意图 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 钨插栓多层结构及其具体工艺 经过化学机械研磨（CMP） 多余的钨被平坦化磨除后，只留下接触窗里的钨 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 MOCVD 概述 MOCVD 是为提高阶梯覆盖率，引入的IMP 钛与MOCVD 氮化钛的组合 MOCVD 设备简图 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 MOCVD 概述 IMP 钛腔体简图 IMP Ti通过腔体侧壁的射频电源提高腔体内部的等离子体密度使其达到60%甚至更高。 高密度的钛等离子体被加在晶圆上射频偏压吸引产生向下垂直速度，而沉积在晶圆表面形成高阶梯覆盖率的钛膜 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 MOCVD 概述 MOCVD 氮化钛腔体简图 四次二甲基胺基钛（TDMAT）通过进气口