朱明电力电子技术(第5版)[王兆安]第9讲电力电子器件运用共性问题27.pptx

;第9章 电力电子器件应用的共性问题;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;第9章 电力电子器件应用的共性问题 9.1 电力电子器件的驱动 9.2 电力电子器件的保护 9.3 电力电子器件的串联使用和并联使用 ;9.1 电力电子器件的驱动;9.1.1 电力电子器件驱动电路概述;9.1.1 电力电子器件驱动电路概述;9.1.1 电力电子器件驱动电路概述;9.1.2 典型全控型器件的驱动电路;9.1.2 典型全控型器件的驱动电路;9.1.2 典型全控型器件的驱动电路;9.1.2 典型全控型器件的驱动电路;一、驱动条件： 门极驱动电路的正偏压VGS，负偏压－VGS，门极电阻RG的大小，决定IGBT的静态和动态特性，如：通态电压、开关时间、开关损耗、短路能力、电流di/dt及dv/dt。;1．正偏电压VGS的影响;2．负偏压－VGS的影响： 门极负偏压可以减小漏极浪涌电流，避免发生锁定效应，但对关断特性影响不大。如图：;3．门极电阻RG的影响： 当门极电阻RG增加时，IGBT的开通与关断时间增加，进而使每脉冲的开通能耗和关断能损也增加。 但RG减小时， IGBT的电流上升率di/dt增大，会引起IGBT的误导通，同时RG电阻的损耗也增加。 一般，在开关损耗不太大的情况下，选较大的电阻RG。;4．IGBT驱动电路设计要求： (1)由于是容性输入阻抗，因此IGBT对门极电荷集聚很敏感，驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路。 (2)用低内阻的驱动源对门极电容充放电．以保证门极控制电压VGS有足够陡峭的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外IGBT开通后，门极驱动源应提供足够的功率使IGBT不致退出饱和而损坏。 (3)门极电路中的正偏压应为+12~+15V；负偏压应为－2~－10V。 (4)IGBT多用于高压场合，故驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离。 (5)门极驱动电路应尽可能简单实用，具有对IGBT的自保护功能，并有较强的抗于扰能力。 (6)若为大电感负载，IGBT的关断时间不宜过短，以限制di/dt所形成的尖峰电压，保证IGBT的安全。;二、驱动电路： 在满足上述驱动条件下来设计门极驱动电路，IGBT的输入特性与MOSFET几乎相同，因此与MOSFET的驱动电路几乎一样。 注意： 1．IGBT驱动电路采用正负电压双电源工作方式。 2．信号电路和驱动电路隔离时，采用抗噪声能力强，信号 传输时间短的快速光耦。 3．门极和发射极引线尽量短，采用双绞线。 4．为抑制输入信号振荡，在门源间并联阻尼网络。 ;44/75;45/75;三、常用PWM控制芯片： TL494，SG3524，SG1525，MC3520，MC34060， VC1840，SL-64等。 四、IGBT专用驱动模块： 大多数IGBT生产厂家为了解决IGBT的可靠性问题，都生产与其相配套的混合集成驱动电路，如三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）、日本东芝的TK系列，美国库托罗拉的MPD系列等。这些专用驱动电路抗干扰能力强，集成化程度高，速度快，保护功能完善，可实现IGBT的最优驱动。;由放大电路，过流保护电路，5V基准电压源电路组成。 具有过流缓关断功能。;EXB851应用电路;驱动信号延时小于1.5us。 如果IGBT的集电极产生过大的电压脉冲，增加IGBT门极的串联电阻。 缺点：过流保护阀值过高，Vce7V时动作，此时已远大于饱和压降；存在保护肓区；在实现止常关断时仅能提供一5V偏压，在开关频率较高、负载过大时，关断就显得不可靠；无过流保护自锁功能，在短路保护时其栅压的软关断过程被输入的关断信号所打断。;M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 ;与EXB841相比，M57962AL需要双电源(+15V，一1OV)供电，外周电路复杂。而正是因为M57962AL可输出一10V的偏压，使得IGBT可靠地关断；另外，M57962AL具有过流保护自动闭锁功能，并且软关断时间可外部调节，而EXB84l的软关断时间无法调节。所以M57962AL较EXB841更安全、可靠。 ;Hcpl-316j;欠压锁定保护 过流保护功能 同EXB841和M57962AL一样无降栅压保护。因此，GH-039驱动模块也是有缺陷的。 ;IR系列驱动器;5.UC37系列驱动器;IGBT损坏的原因可以归结为以下3个方面： 过热损坏，它又分为由于集电极电流过大引起的瞬时过热损坏和其它原因引起的持