第10节直流电路.ppt

第1章 直流电路 第1章 直流电路 （3）三端固定式稳压器的应用电路 输入端的Ci用以抵消输入端较长接线的电感效应，防止产生自激振荡，接线时可以不用。 Ci一般在0.1~1uF之间 。输出端的电容Co用来改善暂态响应，使瞬时增减负载电流时，不致引起输出电压有较大的波动，削弱电路的高频噪声。Co一般是1uF 。虚线所接的二极管起保护稳压器的作用 。 10.5.1稳压二极管稳压电路 2、可调式三端集成稳压器 正稳压器W×17（例如W117、W217、W317）和负稳压器W×37（例如W137、W237、W337），调压范围正稳压器为1.25V~37V，负稳压器-1.25V~-37V，输出电流达到1.5A。 10.5.1稳压二极管稳压电路 10.5.1稳压二极管稳压电路 10.5.1稳压二极管稳压电路 * 　 第10章 二极管与直流稳压电源 10.1半导体的基本知识 10.1.1半导体及其特性 （1）导电能力特别强的叫导体，例如一般的金属、碳、电解液等。 （2）导电能力特别差，几乎可以看成不导电的物质叫绝缘体，例如胶木、橡胶、陶瓷等； （3）导电能力介于导体与绝缘体之间的物质叫半导体，常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge ） 热敏性 光敏性 掺杂性 10.1.2本征半导体 1、本征激发产生自由电子—-空穴对 在一定的温度下或在一定强度光照射下，本征半导体硅和锗中的少数价电子获得足够的能量后挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的共价键上，留下了相同数量的空位，这种现象称为本征激发。 2、本征半导体的导电特性 （1）、两种载流子 （2）、两种导电方式 10.1.3掺杂半导体 1、N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入少量的五价元素，例如磷（P）。 2、P型半导体 在本征半导体中掺入少量的三价硼（B）元素。 10.1.4 PN结 PN结是构成半导体二极管、三极管、场效应管、可控硅和半导体集成电路等多种半导体器件的基础。 PN结具单向导电特性。 1、PN结的形成过程 P型和N型半导体结合面两侧同类型的载流子存在浓度差 ，N型区的多子自由电子向P型区扩散，并与P型区的空穴复合如图 ，这样N型区由于失去电子而出现带正电的杂质层，P型区由于得到电子而出现带负电的杂质层，因此在交界面两侧形成一个带异性电荷的薄层，称为空间电荷区，即PN结。 10.1.4 PN结 10.2半导体二极管 10.2.1二极管的结构、类型、电路符号 在PN结上加上相应的电极引线和管壳就制作成一个二极管，与P极相连的引线称为阳极或者正极，与N极相连的引线称为阴极或者负极。 半导体二极管按材料分类，可分为锗二极管、硅二极管；按结构分点接触型和面接触型两类。 10.2.2二极管的单向导电特性和伏安特性 让二极管的阳极接电源的正极，阴极接电源的负极，二极管正向偏置而导通，灯泡点亮，此时有一个较大的电流流经二极管称之正向导通电流IF。 让二极管的阴极接电源的正极，阳极接电源的负极，二极管反向偏置而截止，灯泡不亮此时二极管中只有一个很小的反向电流流过，称为反向饱和电流IS（也称为反向漏电流）。 2、二极管的伏安特性 二极管的电流随外加电压变化的规律，叫二极管的伏安特性。 （1）、正向特性 “死区电压”或者阈值电压（锗管约为0.1V，硅管约为0.3V）。正向导通电压，小功率的锗管约为0.2-0.3V，硅管约为0.6-0.8V，在工程上一般取硅为0.7V，锗为0.2V。 （2）、反向特性 （3）、反向击穿特性 10.2.2二极管的单向导电特性和伏安特性 10.2.3二极管的主要参数 1、最大整流电流IF 表示允许通过二极管的最大的正向平均电流，超过此电流，将因管子超过限度而烧坏PN结。 一般点接触型二极管的最大整流电流在几十毫安以下，面结合型二极管的最大整流电流可达数百安培以上，有的甚至可达几千安培以上。 2、最大反向电压URM 最大反向电压是指保证二极管不被击穿而给出的最高反向工作电压，通常是反向击穿电压的一半或三分之一 。 3、最大反向电流IRM 最大反向电流是指二极管加最大反向电压时的反向电流值。 1、稳压二极管 （1）、稳压二极管及其伏安特性 给稳压二极管加反向电压，使它工作在电击穿区域，反向电流虽然在很大范围内变化。但稳压二极管两端的电压变化很小，利用这一性质稳压二极管在电路中可以实现稳压作用 。 10.2.4特种二极管 （2）、稳压二极管的主要参数