处于反向阻断状态.PPT

(1) 开通过程 延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间tgt以上两者之和， tgt=td+ tr 断态重复峰值电压UDRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压URRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 通态（峰值）电压UT ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 通态平均电流 IT(AV） ——在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时，取通态平均电流为所计算结果的1.5~2倍。 维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安。 擎住电流 IL ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。 浪涌电流ITSM ——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 ，比额定电流大10~20倍。 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 断态电压临界上升率du/dt ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 ——电压上升率过大，造成晶闸管误导通 。使用中实际电压上升率须低于此临界值。 通态电流临界上升率di/dt ——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 ——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。 * 1.3 半控型器件——晶闸管 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 直到20世纪80年代以后，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的应用场合具有重要地位。 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个连接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 2 普通晶闸管的实物图 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 3 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 内部结构 是PNPN四层半导体结构。 P1区引出阳极A，N2区引出阴极K，P2区引出门极G。 四个区形成三个PN结：J1、J2、J3。 如果加正向电压， J2反偏，则器件A、K之间处于阻断状态, 工作原理 如果加反向电压， J1、J3反偏，则器件也处于阻断状态， 4 只能流过很小的漏电流。 只能流过极小的反向漏电流。 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管导通的原理可用晶体管模型解释 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 若门极注入驱动电流IG 产生V2的集电极电流Ic2，同时也是V1的基极电流； 产生V1的集电极电流Ic1，又进一步增大V2的基极电流，形成正反馈。 最后V1和V2达到饱和，晶闸管导通。 若撤掉IG，仍维持导通。 5 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 按照工作原理，列出如下方程： （1-2） （1-1） （1-3） （1-4） （1-5） 6 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：IG0，晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。实际上由于外电路负载的限制， IA会维持有限值。 晶体管的特性：在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 会迅速增大（形成强烈正反馈所致）。