第5节 光生伏特器件 5.4节.ppt

5.4 光电三极管 光电三极管的两种基本结构，即 ? NPN结构-用N型硅材料为衬底制作的，称为3DU型； ? PNP结构-用P型硅材料为衬底制作的，称为3CU型。 1.工作原理 光电三极管的工作原理分为： 一是光电转换，是在集-基PN结区内进行的。光激发产生 的电子-空穴对在反向偏置的PN结内电场的作用下，电子流向 集电区被集电极所收集，而空穴流向基区与正向偏置的发射 结发射的电子流复合，形成基极电流Ip。 二是光电流放大，基极电流被放大β倍。 不同点:一般半导体三极管是由基极向发射结注入空穴 载流子，控制发射极的扩散电流，而光电三极管是由注入到 发射极的光生电流控制的。 集电极输出的电流为 （5-25） 3CU型光电三极管在原理上和3DU型相同，其工作时的电 压极性与之相反，集电极的电位为负的。 2.光电三极管特性 ⑴ 伏安特性 光电三极管的偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正 向偏置，而集电结处于反向偏置。 光电三极管β值随光电 流的增大而增大。 ⑵ 时间响应（频率特性） 光电三极管的时间响应常与PN结的结构及偏置电路等参 数有关。 选择适当的负载电阻，使其满足R L ＜ R ce，可以导出光 电三极管电路的输出电压为 （5-26） 光电三极管的时间响应由以下四部分组成： ① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc充放电时间； ② 光生载流子渡越基区所需要的时间； ③ 光生载流子被收集到集电极的时间； ④ 输出电路等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC 时间； 提高光电三极管的时间响应的措施--应尽可能的减小发 射结阻容时间常数 r be C be和时间常数 R L C ce。即： ?一方面在工艺上设法减小结电容 C be、C ce； ?一方面要合理选择负载电阻 R L，尤其在高频应用的情 况下应尽量降低负载电阻RL。 光电三极管的时间响应 不但与负载电阻RL有关，而 且与光电三极管的输出电流 有关，增大输出电流可以减 小时间响应，提高光电三极 管的频率响应。 ⑶ 温度特性 在进行弱光信号的检测时应考虑温度的影响，必要时应 采取恒温或温度补偿的措施。 ⑷ 光谱响应 对于光电三极管，减薄PN结的厚度可以使短波段波长的光 谱响应得到提高，因为PN结的厚度减薄后，长波段的辐射光谱 很容易穿透PN结，而没有 被吸收。短波段的光谱容 易被减薄的PN结吸收。 在使用时要注意它的极限参数UCEM和UCE，不能使工作电 压超过UCEM。 3.光电三极管的应用 ⑴光电三极管的光控原理 a.暗导通原理 当一定波长的光照射 VT1时，光控开关处于关断 状态。无光照射VT1时，时 光控开关处于导通状态。 b.亮导通原理 有一定波长的光照射 VT3时，电路为导通状态。 无光照射VT3时，VT4饱和 导通，RL中无电流。 ⑵ 列车灯自动开关 列车通过隧道时， 无光照射光电三极管， 光控开关自动点亮车 厢内的灯；列车出隧 道时，有光照射，自 动关灯。 ⑶ 地下室换气控制器 当工作人员进入地下室时，打开照明灯，换气电扇工作。 当工作人员离开关掉照明灯时，自动关闭气扇。 4.光电二极管与光电三极管的主要差别 ⑴ 响应时间的差别： 光电二极管的响应时间在百ns以下，PIN结型和雪崩型 还要小；光电三极管的响应时间长达5~10微秒，复合型光电 三极管的响应时间更长。 例如，在工作频率低于10MHz的电路中，应选用P-N结型 光电二极管；高于10MHz的电路中，应选用PIN结型光电二极 管；只有工作频率低于200~300kHz时，才应选用光电三极管 ⑵ 光电流的差别 光电二极管的光电流一般只有几微安到几百微安；光电 三极管的光电流一般都在几毫安以上，至少有几百微安。光 电二极管和光电三极管的暗电流则相差不多，一般都不超过 1μA，大多数在0.5μA以下。 ⑶ 输出特性的差别 光电二极管在很宽的入射光照度范围内(10-3~103lx)都 具有线性的光电流-照度特