第十一节磁介质2008.doc

第十一章 磁场中的磁介质 综述： 真空中磁场__有物质的磁场__磁介质相互作用 物质处于磁场__运动电荷受磁力__磁化现象__影响原磁场 教学要求： * 理解磁介质磁化的微观机制和磁化电流的产生。 * 理解磁场强度H及 H环路定理,并能求解对称性磁场。 * 了解铁磁质特性(-H 曲线、磁滞效应、磁滞回线等) 教学内容（学时：2学时）： §11-1 磁介质对磁场的影响 §11-2 铁磁质 教学重点： 应用H安培环路定理计算有磁介质存在时 具有一定对称性的H及B的分布。 教学难点： H的安培环路定理，磁滞效应和磁滞回线的意义。 作业(P135)： 11-01）、11-03）、11-04）、11-05）。 ------------------------------------------------------------------ §11-1 磁介质对磁场的影响 一、磁介质对磁场的影响 * 实验观测：长直螺线管通电流I 1）先真空(或空气)，测磁感应强度； 2）管内均匀充满某种磁介质，测磁感应强度B, 有: （11-1） (式中：—相对磁导率) 3) 实验证明上式普遍成立。 * 磁介质分为： 顺磁质（）； —弱磁性物质 2） 抗磁质（）； —弱磁性物质 3） 铁磁质（） —强磁性物质 （下面按照分子电流观点说明弱性磁介质磁化的微观机理） 二、磁介质的磁化 （(a)顺磁质 (b)抗磁质） 1 分子磁矩和分子电流 * 分子磁矩m：电子绕核运动和自旋，形成微小电流 — 分：轨道磁矩和自旋磁矩。 * 分子电流：等效的圆电流。 * 没有外磁场时： 分子热运动使分子磁矩取向杂乱无章，相互抵消，不显磁性。 * 有外磁场存在时： 顺磁质(a)： 分子磁矩受外磁力矩作用，分子磁矩沿外磁场方向排列； 抗磁质(b)： 在外磁场作用下，分子磁矩沿外磁场相反方向排列。 2 磁化电流及对磁场的影响 (a) (b) (c) （均充某磁介质_表层电流_磁化电流(束缚) j(_激发磁场） * 顺磁质的磁化电流： 方向与外磁场方向成右手螺旋关系， 激发磁场与外磁场方向相同，磁场加强。 * 抗磁质的磁化电流： 方向与外磁场方向成左手螺旋关系， 激发磁场与外磁场方向相反，磁场减弱。 三、有（弱性）磁介质存在的安培环路定理 总磁应强度B；传导电流激发磁场B0；磁化电流激发磁场B(, 有： （11-2） 由安培环路定理，有： 式中: __传导电流，__磁化电流 （长直螺线管均充磁介质，传导电流，磁感应强度） 对任意回路L，用安培环路定理得： (是穿过L的传导电流) 又： 代入，得： （11-3） (磁介质存在时磁感应强度与传导电流关系) 注意： 磁化电流没有出现，但磁介质影响是通过反映出, 可证明该式是有磁介质磁场的普遍规律。 * 磁场强度矢量H（辅助矢量）： （11-4） （式中：—绝对磁导率，简称磁导率） 单位（SI制）：安/米（A/m） * 有磁介质存在的安培环路定理： （11-5） —— H的环路定理 表明： 磁场中沿任一闭合路径，H环流等于穿过该闭合路径 传导电流代数和，即H环流与磁化电流无关。 （某些对称性，可由传导电流分布求出H分布，再求出B分布） * H线： 形象表示磁场中H矢量的分布。 由式(11-4)知：磁感应线数目是通过同一截面H线的倍。 --------------------------------- 例11.1半径R1无限长圆柱体导线外有一层同轴圆筒状磁介质， 圆筒外半径R2，介质均匀，其相对磁导率为， 电流I在导线中均匀流过。 试求： (1) 导线内的磁场分布； (2) 磁介质中磁场分布； (3) 磁介质外面的磁场分布。 解： B和H分布均具轴对称性。设a、b、c为任意点， 到圆柱体轴线垂直距离r，以r半径作圆周。 (1) 对过a点的圆周应用H的安培环路定理，得： (是环路包围电流) 于是得： 再由，得导线内的磁感应强度为： ( 0 r R1 ) (2) 对过b点的圆周应用H的安培环路定理得: ， 得： (R1 r R2) (3) 将H的安培环路定理应用于过c点的圆周，有: 于是: (H和B的方向均为绕电流的方向右旋) 例11.2 密绕螺绕环内均充磁介质，线圈总匝数 N，电流I，环 横截面半径远小于环平均半