第五节、低温红外检测多晶硅中C.doc

低温红外检测多晶硅中C、O Ⅲ-Ⅴ元素的含量 硅中氧的检测： 氧是Ⅵ族元素，如果在硅晶体中以替代位存在，将成为施主杂质，对硅晶体提供电子。但是，硅中氧大部分是以间隙态存在的，位于硅－硅键中间偏离轴向方向，键角为129度，它和它周围的两个硅原子以共价键结合，所以间隙位的氧原子在硅中是电中性的。间隙位的氧原子结构图如图 1所示。 图1 硅中氧原子的结构示意图 由于氧处在硅中的间隙位置，在高温时以间隙形式扩散，因此它是一种快扩散杂质，其扩散系数为： cm2k-1 其中D为扩散系数，k为玻尔兹曼常数，T是绝对温度。在300－1280℃之间，氧的扩散系数为10-9－10-22cm2s-1。图 2左侧是间隙氧的扩散系数随温度的变化关系，从图中可以看出，在700℃以上和400℃以下，实验值和公式吻合的很好。但是在400－700℃之间，氧发生异常扩散，这个公式不能适用。 图2 硅中间隙氧的扩散系数和固溶度随温度变化的关系 一般来讲，间隙氧在硅中的浓度要受其固溶度的限制，为1018cm-3数量级左右。图2右侧是氧的固溶度和温度的变化关系曲线。在硅的熔点附近，氧的平衡溶解度约为2.75×1018 cm-3。随着晶体硅温度的降低，硅中氧的固溶度会逐渐下降，在高温1000℃以上其表达式为 cm-3 其中C（o）是硅中间隙氧的浓度，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。随着温度的降低，过饱和的间隙氧就会在晶体硅中沉淀下来，形成氧沉淀。1017~1018 cm-3数量级。直拉硅中的氧是在晶体生长过程中引入的，氧的引入可以提高硅片的机械强度，但是在随后的器件制造工艺过程中，由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成氧施主、氧沉淀及其诱生的二次缺陷。这些缺陷一方面可以结合器件工艺，形成内吸杂结构，吸除硅片中的金属杂质，另外一方面，过量的氧沉淀又会导致硅片的翘曲，而且氧沉淀诱生的二次缺陷对硅材料和器件的电学性能也有破坏作用。硅中氧缺陷的产生与氧的浓度有着紧密的关系，所以为了控制硅片在处理工艺中氧缺陷的行为，我们首先要控制其中间隙氧原子的浓度。硅中氧浓度的测量方法主要有四种。一种是气相熔化分析（GFA），这种方法主要用来测量重掺单晶中的整体氧浓度。第二种方法是带电粒子活化分析(CPAA)，这种方法也是测量硅中总的氧浓度，但测试步骤繁杂，费用昂贵。第三种是二次离子质谱法(SIMS)，这种方法能测量硅(包括重掺硅片)中所有形态氧的总含量，但是测量精度比较低，一般在1018cm-3数量级。再就是这里我们将重点介绍的傅立叶红外光谱 (FTIR)，这种方法属于无损探测的方法，试样制备比较简单，但是由于载流子吸收的影响，这种方法在测量重掺硅样品中氧浓度时受到限制。 当波数大于4000 cm-1的时候，红外光基本上可以无吸收的透过硅晶体。在中红外光谱段（400~4000 cm-1），由于晶格振动的作用（通常也称为局域模振动，LVM），红外光在某些波数范围会被硅单晶吸收。相应的，硅单晶中氧原子与硅原子也有键的振动，在红外光谱中也会对应中一系列的红外吸收峰。表1总结了硅中对应着不同Si-O振动模式的红外吸收峰的位置。 表1 室温下（20 oC）氧原子在硅晶体中的一系列特征红外吸收峰【12】。 氧原子的形态 Si-O 振动类型 波数（cm-1） 波长（um） 备注说明 Oi 对称伸缩 514 19.45 温度相关 Oi 反对称伸缩 1059 9.44 同位素相关 Oi 反对称伸缩 1107 9.03 测氧浓度用 Op 氧沉淀 1226 8.16 片状氧沉淀相关 Oi 反对称伸缩和转动 1227 8.15 氧沉淀相关 Oi 反对称伸缩和声子 1720 5.81 硅-声子耦合 在硅中，氧原子的一系列室温红外吸收峰中1107 cm-1峰最强，如图1所示，其半高宽约为32 cm-1。该峰被认为是Si-O-Si的反对称伸缩局域振动模式吸收峰，通常用来计算硅中间隙氧原子的浓度，计算公式为： [Oi] = C×α × 1017 cm-3 （1） 其中C为转换系数，α为红外吸收系数。 图1. 硅单晶的室温红外光谱图，1107 cm-1峰是间隙氧的吸收峰。 自1957年Kaiser和Keck首先发现硅中氧浓度和1107 cm-1红外吸收峰强度之间的线性关系后，已有许多确定转换系数【13】。不同的国家采用了不同的标准，美国较早的ASTM-79标准是采用4.81，以后修改为2.45 (ASTM-83)，德国的DIN标准也是采用2.45，日本的JEIDA则采用3.01，我国国家标准采用的转换系数是3.1【14】。后来，Boghdadi等研究者利用国际间的合作，在多个实验室对此转换系数进行了精