测量多层薄膜材料复介电系数的准光腔技术.docVIP

测量多层薄膜材料复介电系数的准光腔技术 渡,亚毫米波频段测量低损耗材料的重要 方法L4一?.我国在八十年代初也开展了这方面的研 究,并制定了国家标准一.近年来又有人研究测 量非平面样品和多层样品的新技术”-. 对于低损耗薄膜材料,准光腔的灵敏度难以分 辨出单层薄膜所引起的变化.一种直接的方法是把 多层薄膜叠加起来进行测量,但由此带来的层问空 气隙将严重地影响测量结果.车文采用一介电特性 已知的平扳样品压在待刮薄膜材料上面.尉可以减 少空气问目lc的存在.特别是对于准光腔通常不能测 量的卷翘或弯曲材料,该平扳样品还可以起到平整 弯曲材料的作用针对最常遇到的双层介质情况, 本文导出了正确的理论计算公式,只要知道或测得 其中一层介质的复介电系数,胃j由多层薄膜组成的 另一层介质的复介电系数即可被求出.我们采用简 易的变腔长法测量谐振腔口值,推导了半功率点 频率变化4r和相应腔长变化△D的微分美系.利 用本文提出的新技术,对几种多层薄膜材料进行了 测量.取得了{茼意的结果. -I996年11月收到.1993’年12月恼改定稿 ¨w帅g‰帅,15=hk.xuD锄(b0fc…n.namp;Ir,~o~tlonETIeelIg.s|iUn]ve-Bi咿,‰ 如1800) 第5期王守军等:测量多层薄膜材料复介电系数的准光腔技术3l 二,理论 准光腔测量多层薄膜的原理如图1所示.其 中,为TE, ll,q模式的空腔谐振长度,D为相应 模式的有载谐振长度,f.和t2分别为待测薄膜和 已知样品的厚度.开在球面镜中心的小耦合孔会激 励起TE基模和一些幅度很小的高趺模式,但 在满足(.).《l的条件下只需考虑测量用的基 本模式. 圈1准光腔测量多层谭接原理图 对于空载的情况,高斯波束束腰半径满足 j=2(1) D为TE. o.模式的空载谐振腔长,满足 D=(c/2(q+1)+m-etlm7_砑】 (2) 其中,e为光速,q为半渡数,风为球面镜的半径 对于有载的情况.准光腔分成三个区域.如图 1所示.根据高斯波束理论,区域1,2,3中 TE. 0.渡的线性极化电磁场可以表示为: exp (专)一+等+ci)㈣ : (专)c(一+筹+G)㈤ (:)=【1+(2(:一)/5)】(5) 毋()=(=一)【1+(l籼/2(:一))】(6) (:):l(2(一≈)/.j)(7) 其中,i=1,2.3,(:)为高斯渡束半径,月 (:)为波柬相位面的曲率半径,A为电场幅度,C 为特定相位常数,为待涮材料的相对折射率.k 和,?o分别为自由空间渡数和波阻抗.高斯波束在: :0时有最小束腰0.为了简化,令A3:1. 首先,由平面镜上(::0)和球面镜上(:= D)电场为零的边界条件,不难得到 c一:0(8) C3:一+(D)(9) 高斯波束在区域分界面上连续,即 I(11):2(L),2R】(I)=LR2(t】)(1o) 2():3(1),R2(t)=n2(1)(11) 由上述高斯边界条件可得 :2:(1一№/L)lI(12) ≈=(1一(1/n1))tl+(1一(1/2))t2(13) j2二一百=(14) 电磁场在区域分界面上连续,即 EI(f1)=E2(tt),H】(tt)=H2(L)(15) E2(t)=E3().():H3()(16) 由上述电磁场边界条件可得 A2(17) ㈤ (1/)tan[nl一】(】)] : (1/n2)tim[2L一2(I)+c2](19) (1/n2)t¨[№一2(f)+c2] =一tall[+屯(t)一3(D)](20) 双层介质的折射率和之间的关系臆含在式 (19)和(2o)的联立方程中. 下面推导损耗角正切taI.和t帅,之间的关 系待测样品的损耗角正切由测量准光腔载和有 载时的品质西数Q值确定,因为谐振腔四种Q值 的概念非常容易混淆.所i;l有必要在这里进一步讨 论.准光腔的四种O值定义如下】: 埘x存储在空气的能量 0一耗散在镜面的功率 埘x存储在样品和空气的能量 一耗散在样品和镜面的功率 x存储在样品和空气的售{ : (21) () (23) (23) 其中Qo和仉分别为加载样品前后的空载和有载Q 值,Q为加载理想无耗样品的Q值,为假定 金属镜面无耗情况下的Q值.根据上述定义有 l/qE:l/qL—l/0u~s(25) 夸 可 + 二 “一 n T..........h....1 32电子1998拒 其中 = 平面镜和球面镜表面和s上的功率损耗定 {f+….=if+….f31) 由只和S上电场为零不难得到 了1.) ‰ 其中.和分别为平面镜和球面镜的电阻率 ‰:粤(33)一d咒十J 于是.空载Q0和理想无耗样品的p咻之间有如下 Re+R + ~ 瓦() [11,12]都误将无耗Q值Q璐当成了空载Q值 三,测量方法 光腔技术