第四节 溅射工艺.pptVIP

?二极直流溅射 特点： 结构简单，可以获得大面积均匀薄膜。 控制参数：功率、电压、压力、电极间距等。 缺点 a. 溅射参数不易独立控制，放电电流随电压和气 压变化，工艺重复性差； b. 真空系统多采用扩散泵，残留气体对膜层污染较严重，纯度较差； c. 基片温度升高，淀积速率低； d. 靶材必须是良导体。 三、溅射镀膜的类型 ?偏压溅射 模型： 结构：基片施加负偏压。 特点： 1. 提高薄膜纯度； 2. 提高附着力。 三、溅射镀膜的类型 ?三级或四级溅射 二极直流溅射只能在高气压下进行，因为它是依赖离子轰击阴极所发射的次级电子来维持辉光放电。 当气压下降（ 1 . 3 -2.7Pa） 时， 阴极暗区扩大，电子自由程增加，等离子体密度下降，辉光放电将无法维持。 负电位 三、溅射镀膜的类型 ?三级或四级溅射 稳定电极电位 三、溅射镀膜的类型 ?三级或四级溅射 特点： 缺点： 1. 靶电流和靶电压可独立调节，克服了二极溅射的缺点； 2. 靶电压低（几百伏），溅射损伤小； 3. 溅射过程不依赖二次电子，由热阴极发射电流控制，提高了溅射参数的可控性和工艺重复性； 不能抑制电子轰击对基片的影响（温度升高）；灯丝污染问题；不适合反应溅射等。 三、溅射镀膜的类型 ?射频溅射 三、溅射镀膜的类型 ?射频溅射 三、溅射镀膜的类型 ?射频溅射 特点： 缺点： 1. 电子与工作气体分子碰撞电离几率非常大，击穿电压和放电电压显著降低，比直流溅射小一个数量级； 2. 能淀积包括导体、半导体、绝缘体在内的几乎所有材料； 3. 溅射过程不需要次级电子来维持放电。 当离子能量高时，次级电子数量增大，有可能成为高能电子轰击基片，导致发热，影响薄膜质量。 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 磁控溅射是70年代发展起来的一种高速溅射技术。 磁控溅射可以使淀积速率提高。气体电离从0.3-0.5%提高到5-6%。 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射－工作原理 磁控溅射技术中使用了磁控靶 磁控靶 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 在阴极靶的表面上形成一个正交的电磁场。 溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速成为高能电子，但是它并不直接飞向阳极，而在电场和磁场的作用下作摆线运动。 高能电子束缚在阴极表面与工作气体分子发生碰撞，传递能量，并成为低能电子。 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 E = 0 B along y-axis v0 along z-axis E = 0 B along y-axis v0 along yz-plane 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 E along x-axis B along y-axis v0 along yz-plane E along x-axis B along y-axis v0 in z-direction E/B=0.02 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 E along x-axis B along y-axis v0 in z-direction E/B=0.1 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 特点： 1. 在阴极靶的表面形成一个正交的电磁场； 2. 电离效率高（电子一般经过大约上百米的飞行才能到达阳极，碰撞频率约为10-7 s-1 ）； 3. 可以在低真空（10-1Pa，溅射电压数百伏，靶流可达到几十毫安/m2）实现高速溅射； 4. 低温、高速。 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射源类型 ? 圆柱状磁控溅射源 ? 平面磁控溅射源 ? S 枪（ 锥型磁控溅射源） 三、溅射镀膜的类型 ?平面磁控溅射源 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 磁控溅射靶的最基本要求是：在阴极表面形成环形磁场，对靶面发射的二次电子进行有效控制。 环行磁场区域一般称为跑道，磁力线从跑道外环指向内环（或由内环指向外环），横贯跑道。 二次电子在跑道内作摆线运动。由于磁场强度分布不均匀造成了离子密度的不均匀，进而形成靶面不均匀溅射。 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 三、溅射镀膜的类型 ?对向靶溅射 对于磁性材料，要实现低温、高速溅射镀膜，由于靶的磁阻很低，磁场几乎完全从靶中通过，不可能在靶面上形成平行的磁场。 采用对向靶溅射技术，可以解决上述问题。 对向靶溅射具有溅射速率高、基板温度低、可淀积磁性薄膜等优点。 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射 一般描述 与反应蒸发相类似，在溅射过程中引入反应气体，就可以控制生成薄膜的组成和特性，称为“反应溅射”。 溅射淀积高纯介质薄膜和各种化合物薄膜，必须先有高纯靶。 高纯的氧化物、氮化物、碳化物、或其它化合物粉末并不难得，但是，加工成靶却是很难的。 三、溅射镀膜的类型 ?反应溅射