第3篇 半导体激光器材料.pptVIP

激光的应用 激光光纤通讯 由于光波的频率 比电波的频率高 好几个数量级， 一根极细的光纤 能承载的信息量， 相当于图片中这 麽粗的电缆所能 承载的信息量。 光盘存储 3.1.1 pn结激光器 3.1.2 异质结激光器 由两种不同的半导体材料构成的PN结称为半导体异质结。 由同一种半导体材料构成的PN结称为半导体同质结。 3.1.3 量子阱激光器 异质结厚度仅为1～10nm的异质结激光器称为量子阱激光器。 量子阱激光器的优点是阈值电流仅为异质结激光器的四分之一，因此有利于光集成化和制作大功率半导体激光器，并且它的光束质量好，有利于提高光通信的质量。 3.1.4 分布反馈激光器 分布反馈激光器是一种侧壁被做成周期性光栅波导结构的半导体激光器。 3.2 蓝光半导体激光器材料 GaN是最引人注目的蓝光半导体激光器材料。可与AlN，InN形成带隙连续可变的固熔体。 在发展成GaN激光器的过程中，最大的困难有两个，一是缺乏晶格常数和热膨胀系数与GaN匹配的衬底材料，二是难以实现高P型掺杂。 20世纪80年代后期，人们先后用在蓝宝石或SiC衬底材料上引入过渡层的方法和对高阻GaN材料进行低能电子辐射的方法解决了这两个问题。 日本日亚公司在1993年率先研制成功输出功率为1mW的InGaN/AlGaN双异质结蓝色发光二极管，稍后该公司又开发出输出功率为5mW的单量子阱蓝色发光二极管。 1995年日本名古屋大学采用以蓝宝石和SiC为衬底材料的InGaN/AlGaN双异质结蓝色发光二极管，首次在低温下实现了蓝光受激发射。 1996年，日本日亚公司终于研制成功能在室温下运行的InGaN多量子阱蓝光半导体激光器。 后来，该公司又在1997年用Si掺杂的InGaN量子阱代替以前的未掺杂量子阱作为发光层，减小了由电流产生的热效应，提高了器件的寿命。 日亚公司在1998年初制备成功实用化的蓝光(417nm)InGaN多量子阱激光器 。 ZnSe是一种蓝绿光半导体激光器材料。 在用ZnSe研制蓝绿光激光器的过程中主要遇到三个问题：第一是难以实现高载流子浓度的P型掺杂；第二是难以降低P型ZnSe欧姆接触；第三是缺陷密度高导致激光器寿命较短。 3.3 蓝绿光半导体激光器材料 20世纪90年代初期，人们以氮离子为掺杂源，用分子束外延工艺解决了掺杂问题。在此基础上，3M公司率先研制成功全世界第一个ZnCdSe/ZnSe量子阱有源层电流泵浦蓝绿光(490nm)半导体激光器，该器件在77K的低温运行。接着，该公司在1993年又首次实现了 ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSeS量子阱蓝绿光(490nm)半导体激光器在室温的连续工作。 用重掺杂的ZnTe、ZnSe多层结构或ZnSe、ZnSe1-xTex、HgSe构成的渐变异质结构来降低p型ZnSe的欧姆接触，取得了一定的成效，但欧姆接触电阻还是太高。 解决缺陷问题：一是改进外延工艺以提高膜层质量；二是设法增加ZnSe材料的共价键成分，提高其硬度，减小与GaAs衬底的晶格失配，人们通过在ZnSe中掺入Be或者采用BeTe/ZnSe超晶格材料，在很大程度上解决了这些问题。 3.4 红光半导体激光器材料 红光半导体激光器材料主要有InGaAlP和InGaP/GaAsP等。 在用分子束外延和金属有机气相外延工艺制备InGaAlP薄层单晶时，为了保证膜层的质量，严格控制源的纯度、外延系统的密闭性和InGaAlP膜层的生长温度是最关键的三个工艺参数。 InGaAlP红光半导体激光器也采用双异质结结构，分为增益导引、折射率导引和量子阱结构三种。 增益导引型的缺点是输出功率低、光束质量差，故无法满足高密度可录光存储的需要。 折射率导引型能有效地实现光模限制、降低像散并抑制阈值电流的增加。 多量子阱结构的优点是可以降低激光器的阈值电流、提高激光器的工作温度，从而改善激光器在高功率工作下的温度特性和可靠性。 3.5 近红外短波长半导体激光器材料 用于近红外短波长半导体激光器的有源区材料主要是780nm的AlGaAs/GaAs材料、 800nm的GaInP（As)／GaAS和980nm的GaInAs/GaAs材料。 3.5.1 780nm的AlGaAs/GaAs和800