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第一章 常用半导体器件 第一节 PN结及其单向导电性 第二节 半导体二极管 第三节 特殊二极管 第四节 晶体管 第五节 场效应晶体管 第一节 PN结及其单向导电性 半导体的导电特点 PN结 第二节 半导体二极管 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的主要参数 第三节 特殊二极管 稳压管 光敏二极管 发光二极管 第四节 晶体管 晶体管的基本结构和类型 晶体管的电流分配和放大原理 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管特性和参数的影响 第五节 场效应晶体管 N沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 MOS管的主要参数及使用注意事项 二、晶体管的电流分配和放大原理 １．放大条件 （１）内部特点决定 发射区产生大量载流子; 基区传送载流子; 集电区收集载流子。 （２）外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 返回 IE IC IB RB RC EB EC N N P 发射区电子 发射结正偏 利于发射区发射电子 基区 集电结反偏利于集电区收集电子 集电区 2. 电流分