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二极管及电路 §3.1 半导体的基本知识 * 3 半导体二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 一 导体、半导体和绝缘体的特点 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗（Ｇe)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)和一些硫化物、氧化物等。 由于半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 热敏性、光敏性：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 微量杂质影响半导体导电性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 二、本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 1、本征半导体的结构及特性 Ge Si 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 物质的化学性质是由价电子决定的. 半导体导电能力也与价电子有关. 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 导电率：与材料内单位体积中所含的电荷载流子的数目有关。 电荷载流子的浓度愈高，其导电率愈高 半导体内载流子的浓度取决于： 材料的性质、温度及杂质的存在。 半导体的重要物理特性是它的导电率---电阻率的倒数。 2、本征半导体的特性 3、本征半导体的导电机理 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子（带负电的粒子） ，同时共价键上留下一个空位，称为空穴（可看作带正电的粒子）----这种现象称为本征激发 。 （1）载流子、自由电子和空穴的概念 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 （2）本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在外加电场或其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴------电子空穴对（由热激发而产生的）。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成(工) 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 空穴移动的方向与电子移动的方向相反,因而可用空穴移动产生的电流来代表电子移动产生的电流。 三 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加； 掺入的杂质主要是三价或五价元素。 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 1、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的载流子是什么？ 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(