第14章二极管与晶体1.ppt

14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构（一个PN结） 二极管的型号 例如：2 C K 18 序号 （K--开关、W--稳压、Z-- 功能 整流、P--检波） （A、B--锗） 材料（C、D--硅） 二极管 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 三极管的型号 例： 3 D G 6 A--锗PNP B--锗NPN C--硅PNP D--硅NPN G高频小功率； A高频大功率 X低频小功率 D低频大功率 K开关管 2. 各电极电流关系及电流放大作用 14.5.3 特性曲线 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 例2： 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3，判断管子的类型、材料及三个极。 例3：测得电路中三极管各极对地的电位值如下表所示，判断各管的工作状态及类型。 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极C 基极B 发射极E 14.5.1 基 本 结 构 N N P E C B 符号 14.5 晶 体 管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P N 2. PNP型三极管 三极管 材料 功能 序号 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结：面积大 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB 14. 5. 2 电流分配和放大原理 晶体管具有电流控制作用的外部条件 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 4） 　把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 ≈ IC IB ? = IB IC 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 3.三极管内部载流子的运动规律 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC EB RB 即晶体管各电极电压与电流的关系曲线，是晶体管内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析晶体管的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 测量晶体