N沟道增强型MOS场效应管.PPT

四、晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 * 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 饱和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 饱和 2. 电流判别法 IB IBS 则饱和 IB IBS 则放大 * 谢 谢！ * * * * * * * 备注 * (2) UDS = 0，0 UGS UGS(th) P 型衬底 N+ N+ B G S D 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。 VGG - - - - - - (3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th) 由于吸引了足够多P型衬底的电子， 会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 —— N 型沟道 反型层、N 型导电沟道。 　　　　　　　　　　　　　UGS 升高，N 沟道变宽。因为 UDS = 0 ，所以 ID = 0。 UGS(th) 或UT为开始形成反型层所需的 UGS， 称开启电压。 * (4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT) 漏极形成电流 ID 。由于沟道存在一定的电阻，因此，ID沿沟道形成的源极端小、漏极端大的电位分布，导致沟道内的电场强度沿沟道从漏极端到源极端逐渐减小，沟道厚度已从源极端到漏极端逐渐减小。导电沟道呈现一个楔形。 b. UDS= UGS – UT， UGD = UT 靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。 预夹断之间，沟道电阻基本不变，漏极电流ID随UDS线性增加。 a. UDS UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS UT * 刚出现夹断 * c. UDS UGS – UT， UGD UT 预夹断以后，由于预夹断区无载流子，夹断区电阻远比未夹断区电阻大， UDS增加的部分几乎全部作用在预夹断区，未夹断区则基本保持预夹断时的电压，形成的沟道电流基本不变。 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 在UDS UGS – UT时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。此时， 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。 3. 特性曲线与电流方程 (a)转移特性 (b)输出特性 UGS UT ，iD = 0； UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 (当 UGS UT 时) 三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区。 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 图 4.7 (a) 图 4.7 (b) iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区。 UGS增加 * 二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 P型衬底 N+ N+ B G S D ++++++ 　 制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 ++++++ ++++++ 　 UGS = 0，UDS 0，产生较大的漏极电流； 　 UGS 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； 　 UGS = UP , 感应电荷被“耗尽”，iD ? 0。 UP或UGS(off)称为夹断电压 图 4.8 * N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： UDS 0； UGS 正、负、零均可。 iD/mA uGS /V O UP (a)转移特性 IDSS 耗尽型 MOS 管的符号 S G D B (b)输出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 N 沟道耗尽型MOSFET * 三、P沟道MOS管 1.P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th) 0 当UGS UGS(th) ， 漏-源之间应加负电源电压 管子才导通,空穴导电。 2.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＞0 UGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制， 漏-源之间应加