第二篇(上).ppt

第2章 固态有源微波元器件 2.1 半导体基础 半导体基础 当金属与N型半导体接触时，若 ，在半导体表面 处形成正的空间电荷区，电场方向由半导体体内指向表面， 即半导体表面电势较体内为低。若半导体体内电势为0，半 导体表面电势用 代表，则有 ，这时半导体表面电 子势能高于体内，能带向上弯曲形成表面势垒，表面处由于 电子逸出而使浓度较体内为小。 金属的功函数小于半导体的功函数: 金属和N型半导体接触反阻挡层 金属带正电、半导体带负 电，电场方向由金属指向半导 体，半导体表面电势高于体内 电势，半导体表面处电子势能 较体内为低，能带向下弯曲。 半导体基础 （2) 金属与P型半导体形成金半接触 金属与P型半导体形成金半接触的情形正好与N型相反， 当 时，形成反阻挡层，而 时，形成阻挡层。 2. 金半接触的整流特性 以金属与N型半导体接触构成金半结、而且 的情 况为例说明金半接触的整流特性。 （1)金半结两端施加正向偏压V（即金属端接外电源的正极，而N型半 导体端接外电源的负极） 金半结加正向偏压 “正向导通” 金半结的理想“伏安特性 （ 特性）方程”为： 半导体基础 （2)金半结两端施加反向偏压V（即金属端接外电源的负极，而N型半 导体端接外电源的正极） 金半结加反向偏压 金半结的电压电流特性 PN结 金半结 不同之处：导通电压较低、正向压降较小、正反向电流较大、 反向耐压较低及较强的非线性程度。由于特性曲线较陡，因此在同 样偏压下具有较小的结电阻，而且当外加大信号交流电压时可导致 微分电导（ ）有较陡的变化。 半导体基础 3. 金半接触的电容效应 金半接触结可以看作是单边突变结，因此根据求PN结空间 电荷区宽度所使用的方法，求出金半（N型）接触结半导体一侧 的势垒区宽度与偏压的关系为: （1) 势垒电容 （2) 扩散电容 金半接触结（MN结）的正向电流是从N型半导体流向金属 的电子电流，是多子电流，它不存在少子积累的问题，因而也 就不存在扩散电容效应，这是金半结与PN结的显著区别。 PN结的“大”电容限制了PN结开关速度的提高，导致其导电 特性的改变来不及跟上外加高频交流电压的变化；而金半结的电 容远较PN结为小，可大大减小对正偏非线性电阻的旁路作用， “开关”特性好，这是以金半结为基础构成的半导体元件在射频和 微波领域获得广泛应用的主要原因所在。 4. 金半接触的击穿 金半结势垒区宽度较薄，反向击穿电压比PN结低，因此不 能承受大的功率。 半导体基础 南京理工大学 电光学院通信工程系 本章主要介绍广泛应用于微波电子线路的各种固态有源微波元器件，主要包括属于微波二极管的PN结管、肖特基结管、变容管、阶越恢复管、雪崩管、体效应管、PIN管等，属于微波三极管的双极晶体管及异质结管、场效应管以及高电子迁移率晶体管等。它们是构成各种微波电子线路功能组件，如微波混频器、微波变频器、微波放大器、微波振荡器和微波控制电路的核心。 1. 半导体的概念及分类 2.1.1 半导体基础 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。 金属 半导体 绝缘体 半导体的性质：负温度系数；两种载流子；对掺杂敏感；光敏特性；温差电效 应大； 非对称导电特性 半导体材料种类： 半导体基础 2. 半导体共价键模型和能带模型 共价键模型能够直观地说明半导体所具有的很多性质，但不能作 深入的定量讨论，而能带模型可以使我们对于半导体的理解比较深入， 因此一般要综合运用两种模型来展开讨论。 金刚石结构 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 原子 共价键 GaAs 一个Ga原子由位于正四面体的四个顶 角的As原子包围着，而一个As原子也 由位于正四面体的四个顶角的Ga原子 包围着，但形成四个共价键的八个电 子三个来自于III族原子，五个来自 于V族，形成键的两个电子在原子间 的分布并非完全对称，偏向于两个原 子中的一个，含有“离子键”的成分。 半导体的能带结构 导带 价带 禁带 半导体基础 从原子模型可以知道，核外每个电子的能量都不是任意的， 而是只能取一系列分立的确定值，不同的轨道对应不同的能量。 电子能量只能取一系列分立值的这种特征叫做电子能量“量 子化”，量子化的能量值称为“能级”，把能