第二篇_晶体二极管.ppt

* 第二章 晶体二极管(Diode) 内容： 1、简单讨论半导体的特性（熟悉常用术语） 2、二极管特性——模型分析法（分段线性模型） 应用电路 整流 稳压 限幅 positive negative 2.1 半导体物理基础知识 硅（Si） 锗（Ge） 砷化镓（GaAs） 简化模型 硅和锗的原子结构模型 价电子 硅和锗共价键结构 原子晶阵四面体结构 一 本征半导体(Intrinsic Semiconductors) 完全纯净,结构完整的半导体晶体。 T=0K（–273℃），本征半导体中没有可移动的带电粒子（载流子），不能导电，相当于绝缘体。 1、本征激发 T↑（或光照）→价电子获得能量→挣脱共价键束缚→自由电子→共价键中留下空位（空穴） 空穴 带正电 能移动（价电子填补空位的运动） 载流子 本征激发→产生两种载流子 （自由）电子 空穴 特征：成对出现，数目相等。 复合：本征激发逆过程（电子空穴相遇→释放能量→成对消失） 2、热平衡载流子浓度ni T一定时，本征激发和复合达到动态平衡，此时载流子浓度ni是一定的。 ni=p0 =n0 p0 热平衡空穴浓度 n0 热平衡电子浓度 ni是温度的函数。T↑→ni↑↑ 在室温（T=300K）时，硅的 ni≈1.5×10 10cm -3，锗的ni≈2.4×10 13cm -3 硅的原子密度为4.96×1022 cm -3 ，ni仅为三万亿分之一。 问题：本征半导体导电能力很低。 二、杂质半导体（Doped Semiconductor） 掺入一定量的杂质元素，导电能力显著增加。 1、N型半导体 掺入五价元素（磷），形成多电子、少空穴的杂质半导体。 多数载流子（多子）：电子 少数载流子（少子）：空穴 n0p0=ni2 n0=Nd+p0≈Nd （Nd＞＞ni） 施主杂质（Donor） 二、杂质半导体（Doped Semiconductor） 掺入一定量的杂质元素，导电能力显著增加。 1、N型半导体 掺入五价元素（磷），形成多电子、少空穴的杂质半导体。 多数载流子（多子）：电子 少数载流子（少子）：空穴 n0p0=ni2 n0=Nd+p0≈Nd （Nd＞＞ni） 施主杂质（Donor） 2、P型半导体 掺入三价元素（硼），形成多空穴、少电子的杂质半导体。 多数载流子（多子）：空穴 少数载流子（少子）：电子 受主杂质（Acceptor） p0=Na+n0≈Na （Na＞＞ni） 结论：①多子的浓度由杂质浓度决定； ②少子的浓度与温度有关； ③半导体器件温度特性差的根源 2、P型半导体 掺入三价元素（硼），形成多空穴、少电子的杂质半导体。 多数载流子（多子）：空穴 少数载流子（少子）：电子 受主杂质（Acceptor） p0=Na+n0≈Na （Na＞＞ni） 结论：①多子的浓度由杂质浓度决定； ②少子的浓度与温度有关； ③半导体器件温度特性差的根源 三、漂移和扩散（两种导电机理） 1、漂移运动：载流子在电场的作用下的定向运动。 漂移运动产生的电流——漂移电流（Drift Current） 2、扩散运动：由于载流子浓度分布不均匀而产生的运动。 扩散运动产生的电流——扩散电流（Diffusion Current） 小 结 关键词：载流子 目标：增加载流子（增加导电能力） 主线：本征半导体 杂质半导体 P型：多空穴p0≈Na N型：多电子n0≈Nd ni=p0 =n0 扩散运动 载流子的运动 实现导电 漂移运动 2.2 PN结（半导体器件最基本单