白底 11第11篇双极型晶体管.pptVIP

前言 第十一章双极型晶体管原理 11-1，双极晶体管直流特性 一，晶体管概述 二，直流特性和电流增益 三，反向电流 四，击穿电压 五，基极电阻 11-2，双极晶体管频率、功率特性 11-3，双极晶体管噪声、开关特性 第八章双极型晶体管原理 参考书： 双极型与MOS半导体器件原理 黄均鼎 汤庭鳌 编著 复旦大学出版社 晶体管原理 半导体器件电子学（英文版） 美国，R.M.Warner, 电子工业出版社 11-1，双极晶体管直流特性 一，晶体管概述 二，直流特性和电流增益 三，反向电流 四，击穿电压 五，基极电阻 11-1，一，晶体管概述： 1基本结构 1基本结构 2放大作用 3晶体管内载流子的传输及电流放大系数 4晶体管的输入和输出特性 11-1， 2放大作用 晶体管具有放大作用是由于： (1)基区宽度很小，即从发射区注入到基区的载流子绝大部分可到达集电区； (2)发射结正偏，不仅使结电阻很小，而且基区中存在着大量由发射区注入的少数载流子； (3)集电结反偏，结电阻很大。 11-1， 3.晶体管内载流子的传输及电流放大系数 *直流共基极电流放大系数 *共发射极电流放大系数 11-1， 4晶体管的输入和输出特性 11-1，二，晶体管的直流特性和电流增益 以均匀基区为例 1，均匀基区晶体管直流特性的理论分析 2，均匀基区晶体管的短路电流放大系数 *均匀基区晶体管理论分析 *理论分析 *短路电流放大系数 1.发射效率 2.基区输运系数 3.集电区倍增因子 4.雪崩倍增因子 短路电流放大系数总公式： 提高电流放大倍数的措施 *漂移晶体管 扩散结的晶体管 基区自建电场 电流短路放大倍数的推导结果 11-1，三，反向电流和击穿电压 1. ICB0：当发射极开路时，集电极-基极的反向电流定义为ICB0 。 2.IEB0 3.ICE0 4. VEB（fl） 11-1，三，反向电流和击穿电压 5.BVEB0和BVCB0 定义集电极开路时发射极-基极的击穿电压为BVEB0 定义发射极开路时集电极-基极击穿电压为BVCB0 6.BVCE0、BVCER、BVCEX、BVCES 基极开路，集电极-发射极的击穿电压为BVCE0； 基极-发射极短路，集电极-发射极的击穿电压为BVCES； 基极-发射极接电阻Rb；集电极-发射极的击穿电压为BVCER； 基极-发射极接电阻Rb和反偏电压VBB，集电极-发射极的击穿电压为BVCEX。 11-1，三，反向电流和击穿电压 击穿电压：BVCE0、BVCER、BVCEX、BVCES 11-1，四，基极电阻 由于基区很薄，基区存在一定的电阻rb，在多子流过基区时会产生压降，它对晶体管的特性有影响，如发射极电流集边效应，放大、频率特性变差和基极电阻引起的噪声等。 某些图形的电阻公式 11-1，晶体管的小信号等效电路 11-2，双极晶体管频率、功率特性 1，频率特性 几个主要的高频参数：截止频率、特征频率、高频功率增益和最高振荡频率等 2，功率特性 11-2，频率、功率特性-截止频率 曲线1表示共基极电流放大系数。随频率的变化，曲线2表示共发射极电流放大系数β随频率的变化。 截止频率：当电流放大系数下降到低频值的(即0.707)时的频率 特征频率：β值降到l(0dB)时的频率 11-2，频率、功率特性- 特征频率fT 要提高特征频率，fT，必须减小四个时间常数，下面分别讨论之。 (1) 一般四个时间常数以τb为最长，因此减小τb成为提高fT的主要因素。 (a)降低基区宽度Wb，减小τb关键。采用离子注入工艺，Wb已达亚微米级； (b)提高基区电场因子η，以增大常数λ。η取值3～11，可得最小的τb值。 (2)减小τe，必须减小发射结电阻re及发射结电容， (3)减小τd，必须减小集电结的势垒宽度Xm，即降低集电区电阻率，但它又与提高击穿电压有矛盾。 (4)降低τc，必须减小集电极串联电阻rcs及集电极电容Cc。与提高击穿电压有矛盾，应兼顾两方面要求。 综之，提高fT的主要途径是：减小基区宽度Wb,减小结面积(发射结及集电结)，适当降低集电区电阻率和厚度。 * 前言， 前言， 直流共基极电流放大系数的定义为 按照图3-4所示的输运过程，α由以下三个因子组成： 式中γ称为发射效率，也称注射比，它表示注入到基区的电子电流与发射极总电流之比， β*称为基区输运系数 ，α*称为集电区倍增因子 共发射极电流放大系数定义为集电极电流IC与基极电流IB之比： 为导出β与α的关系，把IB＝IE-IC代入上式,可得 Ⅰ为线性工作区，发射结处于正偏，集电结处于反偏； Ⅱ为饱和区，发射结和集电结均处于正偏； Ⅲ为截止区，发射结和集电结都为反偏。 在导出伏安特性表达式时作了如下几点假设： (1)发