第1章 半导体中电子状态.pptVIP

第一章 习题 1、2. P43 习题1、2 3.已知一维晶体的电子能带可写成： 式中a是晶格常数，试求： （1）能带宽度的表达式。 （2）电子在波矢k状态时的速度表达式。 4.右图为能量曲线E(k)的形状，试回答： （1）在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个带中，哪一个带的电子有效质量数值最小？ （2）考虑Ⅰ、Ⅱ两个带充满电子，而第Ⅲ个带全空的情况，如果少量电子进入第Ⅲ个带，在Ⅱ带中产生同样数目的空穴，那么Ⅱ带中的空穴有效质量同Ⅲ带中的电子有效质量相比，是一样？还是大或小？ Ⅰ Ⅱ Ⅲ - π/a π/a k E * 2. 半导体中空穴的状态 空穴的波矢 kp和速度 假设价带内失去一个ke态的电子，而价带中其它能级均有电子占据， 电子波矢总和 ∑‘k = kp 空穴波矢 空状态中填入一个电子形成满带时： ∑＇k+ ke=0 ∑’k=－ke ∴空穴的波矢 kp = - ke 速度 v 价带所有电子形成的总电流密度为 J 即为空穴形成的电流密度，那么： 空穴的能量 ○ ● Ec Ev E(ke) △E 电子能量 空穴能量 空穴的有效质量记为mp* ，令 在价带顶： 在价带顶附近空穴的有效质量为正的恒量 空穴运动的加速度 : 空穴的有效质量和加速度 电子的有效质量me* 在价带顶： 0 空穴的波矢kP、能量E(kp)、有效质量m*p及加速度 ： 2. 半导体中空穴的状态 §1-5 半导体的能带结构 掌握硅、锗的能带结构特点 掌握砷化镓的能带结构特点 间接带隙半导体 直接带隙半导体 半导体能带极值附近E(k)的分布 k E 1. k 空间的等能面 b. 极值点k0=k0 (kx0,ky0,kz0) (1) 一般情况: 三维晶体. k=k(kx,ky,kz) c. 各向异性晶体 m*=m*(m*x,m*y,m*z). E=E(kx,ky,kz) 其中： 极值点k0附近电子能量E: (泰勒级数展开) 移项后： ● ko kx ky kz 椭球等能面 (2) 极值点k0正好在某一坐标轴上 设k0在Z轴上, 以Z轴为旋转轴 ● ko kx ky kz 旋转椭球曲面 mt为横向有效质量, ml为纵向有效质量 若 mlmt, 为长旋转椭球 mtml, 为扁形旋转椭球 对于面心立方晶体，能量E在k空间的分布为一旋转椭球曲面 (3) 极值点k0在原点 能量E在波矢空间的分布为球形曲面 ● ko kx ky kz E(k)等能面的球半径为: 将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量的关系为: 2. 回旋共振-有效质量测量 对于球形等能面： α、β、γ分别是kx、ky、kz相对于B的方向余弦 对于非球形等能面： 3. Si.Ge.GaAs半导体的能带结构 元素半导体Si、Ge结构 金刚石结构 Ge: a=5.65754? Si: a=5.43089? 硅导带等能面示意图 极小值点k0在坐标轴[100]上。 共有6个形状一样的旋转椭球等能面 (1)导带 A B C D ml = 0.91 m0 mt = 0.19 m0 1.元素半导体Si （2）价带 极大值点在坐标原点，k0=0，E(ｋ)为球形等能面，但有两个曲率不同的面，即有两个价带 外层：能量变化慢，mp*大；→重空穴 内层：能量变化快，mp*小；→轻空穴 硅的能带结构 导带 价带 [100] [111] Γ L X Eg 间接带隙 重空穴 轻空穴 2. 元素半导体Ge 锗的能带结构 导带 价带 [100] [111] Γ L X Eg 思考： 等能面形状？ 布里渊区内有几个椭球？ 什么带隙？ 导带的极小值在[111]方向的布区边界，E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面,有8个半椭球。 (1) 导带的极小值 (2) 价带的极大值点 在坐标原点,k=0,等能面为球形,也有 两个价带,分重、轻空穴 ml = 1.64 m0 mt = 0.08 m0 3. GaAs化合物半导体 GaAs闪锌矿结构 闪锌矿结构 GaAs: a=5.65325? GaAs能带结构 E GaAs Eg 0·29eV L Γ X [111] [100] 直接带隙 有效质量？ (1) 导带有两个极小值： 一个在k=0处，为球形等能面， 另一个在[111]方向，为椭球等能面，能量比k=0处的高0.29eV， 价带顶也在坐标原点，k=0，球形等能面，也有两个价带，存在重、轻空穴。 (2) 价带 GaAs的导带的极小值点和价带的极大值 点为于K空间的同一点，这种半导体称为 直接带隙半导体。 Si,Ge: 导带底和价带顶不在k空间同一点的半导体称为间接带隙半导体。 思考： Si能发光吗？GaAs呢？发光波长是多